[发明专利]基于铝纳米晶浮栅的柔性碳纳米管光电记忆存储器有效
| 申请号： | 201910325450.0 | 申请日： | 2019-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN111834393B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 孙陨;曲庭玉;孙东明;朱钱兵;成会明 | 申请（专利权）人： | 辽宁冷芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/30 | 分类号： | H01L27/30;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110168 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及柔性碳纳米管光电记忆存储器的研发与应用领域，具体为一种采用铝纳米晶作为浮栅层、氧化生成的氧化铝作为隧穿层的柔性碳纳米管光电记忆存储器及其制作和作为光电传感及记忆存储器件的应用。采用高纯度半导体性碳纳米管薄膜作为沟道材料，利用铝的易氧化特性，构建均匀离散分布的铝纳米晶浮栅/氧化铝隧穿层一体化电荷俘获层，获得高性能柔性碳纳米管浮栅存储器，器件具有高电流开关比和高稳定性，经过两千次机械弯曲之后，器件的电学性能保持稳定，展现出良好的柔性。同时，基于载流子直接隧穿机制，实现柔性碳纳米管光电记忆图像存储器，开辟碳纳米管柔性光图像存储器件领域的新应用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 晶浮栅 柔性 光电 记忆 存储器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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