[发明专利]ESD防护薄膜晶体管及ESD防护结构在审
| 申请号： | 201910319971.5 | 申请日： | 2019-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110061062A | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 肖翔 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂;王中华 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种ESD防护薄膜晶体管及ESD防护结构。所述ESD防护薄膜晶体管包括：基板、设于所述基板上的有源层、设于所述有源层及基板上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上并与所述有源层相对的栅极、设于所述栅极及栅极绝缘层上的层间绝缘层以及设于所述层间绝缘层上的间隔分布的源极及漏极；所述有源层包括沟道段及分别位于所述沟道段两侧的源极接触段和漏极接触段，所述沟道段至少部分弯曲，相比于现有的直线沟道，本发明将沟道设置为弯曲状，能够在不增加ESD防护薄膜晶体管的尺寸的前提下，延长ESD防护薄膜晶体管的沟道长度，有效减少ESD防护薄膜晶体管的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 沟道 源层 栅极绝缘层 基板 层间绝缘层 部分弯曲 间隔分布 漏极接触 有效减少 源极接触 直线沟道 漏电流 弯曲状 漏极 源极 | ||
【主权项】：
1.一种ESD防护薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板(1)、设于所述基板(1)上的有源层(2)、设于所述有源层(2)及基板(1)上的栅极绝缘层(3)、设于所述栅极绝缘层(3)上并与所述有源层(2)相对的栅极(4)、设于所述栅极(4)及栅极绝缘层(2)上的层间绝缘层(5)以及设于所述层间绝缘层(5)上的间隔分布的源极(6)及漏极(7)；所述有源层(2)包括沟道段(21)及分别位于所述沟道段(21)两侧的源极接触段(22)和漏极接触段(23)，所述沟道段(21)至少部分弯曲。
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