[发明专利]ESD防护薄膜晶体管及ESD防护结构在审
| 申请号： | 201910319971.5 | 申请日： | 2019-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110061062A | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 肖翔 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂;王中华 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 沟道 源层 栅极绝缘层 基板 层间绝缘层 部分弯曲 间隔分布 漏极接触 有效减少 源极接触 直线沟道 漏电流 弯曲状 漏极 源极 | ||
1.一种ESD防护薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板(1)、设于所述基板(1)上的有源层(2)、设于所述有源层(2)及基板(1)上的栅极绝缘层(3)、设于所述栅极绝缘层(3)上并与所述有源层(2)相对的栅极(4)、设于所述栅极(4)及栅极绝缘层(2)上的层间绝缘层(5)以及设于所述层间绝缘层(5)上的间隔分布的源极(6)及漏极(7)；
所述有源层(2)包括沟道段(21)及分别位于所述沟道段(21)两侧的源极接触段(22)和漏极接触段(23)，所述沟道段(21)至少部分弯曲。
2.如权利要求1所述的ESD防护薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道段(21)呈波浪形。
3.如权利要求1所述的ESD防护薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极(4)的材料为非晶硅、多晶硅或氧化物半导体。
4.如权利要求1所述的ESD防护薄膜晶体管，其特征在于，还包括：第一过孔(81)及第二过孔(82)，所述第一过孔(81)及第二过孔(82)均贯穿所述述层间绝缘层(5)及栅极绝缘层(3)，所述源极(6)及漏极(7)分别通过所述第一过孔(81)及第二过孔(82)与所述源极接触段(22)和漏极接触段(23)接触。
5.如权利要求1所述的ESD防护薄膜晶体管，其特征在于，所述源极(6)与所述栅极(4)至少部分交叠形成第一耦合电容(C1)，所述漏极(7)与所述栅极(4)至少部分交叠形成第二耦合电容(C2)，以通过所述第一耦合电容(C1)或第二耦合电容(C2)的作用向所述栅极(4)传递电压，实现静电释放。
6.一种ESD防护结构，其特征在于，包括信号线(100)、公共电压线(200)及ESD防护薄膜晶体管(T)；
所述ESD防护薄膜晶体管(T)包括：基板(1)、设于所述基板(1)上的有源层(2)、设于所述有源层(2)及基板(1)上的栅极绝缘层(3)、设于所述栅极绝缘层(3)上并与所述有源层(2)相对的栅极(4)、设于所述栅极(4)及栅极绝缘层(2)上的层间绝缘层(5)以及设于所述层间绝缘层(5)上的间隔分布的源极(6)及漏极(7)；
所述有源层(2)包括沟道段(21)及分别位于所述沟道段(21)两侧的源极接触段(22)和漏极接触段(23)，所述沟道段(21)至少部分弯曲。
所述源极(6)及漏极(7)分别电性连接所述信号线(100)和所述公共电压线(200)。
7.如权利要求6所述的ESD防护结构，其特征在于，所述沟道段(21)呈波浪形。
8.如权利要求6所述的ESD防护结构，其特征在于，所述栅极(4)的材料为非晶硅、多晶硅或氧化物半导体。
9.如权利要求6所述的ESD防护结构，其特征在于，所述ESD防护薄膜晶体管还包括：第一过孔(81)及第二过孔(82)，所述第一过孔(81)及第二过孔(82)均贯穿所述述层间绝缘层(5)及栅极绝缘层(3)，所述源极(6)及漏极(7)分别通过所述第一过孔(81)及第二过孔(82)与所述源极接触段(22)和漏极接触段(23)接触。
10.如权利要求6所述的ESD防护结构，其特征在于，所述源极(6)与所述栅极(4)至少部分交叠形成第一耦合电容(C1)，所述漏极(7)与所述栅极(4)至少部分交叠形成第二耦合电容(C2)，以通过所述第一耦合电容(C1)或第二耦合电容(C2)的作用向所述栅极(4)传递电压，实现静电释放。
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