[发明专利]ESD防护薄膜晶体管及ESD防护结构

说明书

本发明提供一种ESD防护薄膜晶体管及ESD防护结构。所述ESD防护薄膜晶体管包括：基板、设于所述基板上的有源层、设于所述有源层及基板上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上并与所述有源层相对的栅极、设于所述栅极及栅极绝缘层上的层间绝缘层以及设于所述层间绝缘层上的间隔分布的源极及漏极；所述有源层包括沟道段及分别位于所述沟道段两侧的源极接触段和漏极接触段，所述沟道段至少部分弯曲，相比于现有的直线沟道，本发明将沟道设置为弯曲状，能够在不增加ESD防护薄膜晶体管的尺寸的前提下，延长ESD防护薄膜晶体管的沟道长度，有效减少ESD防护薄膜晶体管的漏电流。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种ESD防护薄膜晶体管及ESD防护结构。

背景技术

随着显示技术的发展，平板显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。现有的平板显示装置主要包括液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)及有机发光二极管显示装置(Organic Light EmittingDisplay，OLED)。

现有平板显示装置为了达到防静电的目的，一般在基板上设有静电放电(Electro-Static Discharge，ESD)防护结构。现有的ESD防护结构采用具有浮栅结构(GateFloating)的ESD防护薄膜晶体管(Thin Film Transistor)释放多余电荷，现有的ESD防护结构如图1及图2所示，在信号线10和公共电压线20(Common)之间连接有ESD防护薄膜晶体管30，ESD防护薄膜晶体管30包括栅极301、源极302、漏极303及有源层304，所述栅极301及源极302部分重叠形成第一耦合电容C10和栅极301和漏极303部分重叠形成第二耦合电容C20，源极302电性连接信号线10，漏极303电性连接公共电压线20，当信号线10或公共电压线20上累积的静电过高时会对第一耦合电容C10或第二耦合电容C20充电，使得ESD防护薄膜晶体管30的栅极301电压上升，进而导通ESD防护薄膜晶体管30，完成静电释放。

为了保证静电释放效果，需要尽可能的减少ESD防护薄膜晶体管30的漏电流，所述ESD防护薄膜晶体管30的漏电流与其沟道宽度W及沟道长度L有关，沟道宽度W越小，漏电越小，沟道长度L越大，漏电流越小，由于现有的制程工艺的约束，沟道宽度W能够达到的最小值有限，因此，在现有技术中对ESD防护薄膜晶体管30的漏电流的控制，一般均是通过延长ESD防护薄膜晶体管30的沟道长度L完成的，但增加ESD防护薄膜晶体管30的沟道长度L会导致器件的尺寸增大，影响产品的布线空间，不利用显示装置高分辨率及窄边框的实现。

发明内容

本发明的目的在于提供一种ESD防护薄膜晶体管，能够在不增加ESD防护薄膜晶体管的尺寸的前提下，有效减少ESD防护薄膜晶体管的漏电流。

本发明的目的还在于提供一种ESD防护结构，能够在不增加ESD防护薄膜晶体管的尺寸的前提下，有效减少ESD防护薄膜晶体管的漏电流。

为实现上述目的，本发明提供一种ESD防护薄膜晶体管，包括：基板、设于所述基板上的有源层、设于所述有源层及基板上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上并与所述有源层相对的栅极、设于所述栅极及栅极绝缘层上的层间绝缘层以及设于所述层间绝缘层上的间隔分布的源极及漏极；

所述有源层包括沟道段及分别位于所述沟道段两侧的源极接触段和漏极接触段，所述沟道段至少部分弯曲。

所述沟道段呈波浪形。

所述栅极的材料为非晶硅、多晶硅或氧化物半导体。

所述ESD防护薄膜晶体管还包括：第一过孔及第二过孔，所述第一过孔及第二过孔均贯穿所述述层间绝缘层及栅极绝缘层，所述源极及漏极分别通过所述第一过孔及第二过孔与所述源极接触段和漏极接触段接触。