[发明专利]一种用于生长高质量碳化硅晶体原料提纯的处理方法在审
| 申请号： | 201910317300.5 | 申请日： | 2019-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110016718A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 康淮;陈鹏磊;高冰;刘胜 | 申请（专利权）人： | 天通凯成半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 王丽丹 |
| 地址： | 314400 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种一种用于生长高质量碳化硅晶体原料提纯的处理方法，在PVT法生长碳化硅晶体前，将盛有β‑SiC粉末的石墨坩埚放入高温加热炉中，在氩气气氛中进行循环蒸发冷凝处理。本发明使用β‑SiC粉末代替α‑SiC粉末，并采用循环蒸发冷凝的方式对β‑SiC粉末进行提纯，能有效的降低原料和籽晶的温度梯度，减少粉料的石墨化，并且纯化过程去除了粉末中的杂质，减少了SiC粉末结块，同时生成了粒度均匀的SiC粉末能显著的改善气相传输和升华速率。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅晶体 提纯 循环蒸发 生长 高温加热炉 冷凝处理 粒度均匀 气相传输 石墨坩埚 温度梯度 氩气气氛 冷凝 石墨化 放入 粉料 结块 籽晶 升华 | ||
【主权项】：
1.一种用于生长高质量碳化硅晶体原料提纯的处理方法，其特征在于：在PVT法生长碳化硅晶体前，将盛有β‑SiC粉末的石墨坩埚放入高温加热炉中，在氩气气氛中进行循环蒸发冷凝处理，具体步骤如下，第一步，将盛有β‑SiC粉末的石墨坩埚放入高温加热炉中，加热至1700～1900℃，升温速率为470～530℃/h，保温0.5～1小时；第二步，继续升温至2000～2200℃，升温速率90～110℃/h，保温0.5～1小时；第三步，然后以90～110℃/h的速率降温至1700～1900℃，再次加热至2000～2200℃，重复以上降温再加热步骤4～6次，得到高纯度的SiC粉末；第四步，采用PVT法在N2和Ar混合气氛中生长高质量的碳化硅晶体，将4H‑SiC籽晶固定到石墨托上，再将石墨托与坩埚盖连接，安置在碳化硅单晶炉中，并采用步骤三得到的SiC粉末为原料，进行碳化硅晶体生长，最终得到4H‑SiC晶锭一块。
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