[发明专利]一种用于生长高质量碳化硅晶体原料提纯的处理方法在审
| 申请号： | 201910317300.5 | 申请日： | 2019-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110016718A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 康淮;陈鹏磊;高冰;刘胜 | 申请（专利权）人： | 天通凯成半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 王丽丹 |
| 地址： | 314400 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅晶体 提纯 循环蒸发 生长 高温加热炉 冷凝处理 粒度均匀 气相传输 石墨坩埚 温度梯度 氩气气氛 冷凝 石墨化 放入 粉料 结块 籽晶 升华 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于生长高质量碳化硅晶体原料提纯的处理方法，其特征在于：在PVT法生长碳化硅晶体前，将盛有
第一步，将盛有
第二步，继续升温至2000～2200℃，升温速率90～110℃/h，保温0.5～1小时；
第三步，然后以90～110℃/h的速率降温至1700～1900℃，再次加热至2000～2200℃，重复以上降温再加热步骤4～6次，得到高纯度的SiC粉末；
第四步，采用PVT法在N2和Ar混合气氛中生长高质量的碳化硅晶体，将4H-SiC籽晶固定到石墨托上，再将石墨托与坩埚盖连接，安置在碳化硅单晶炉中，并采用步骤三得到的SiC粉末为原料，进行碳化硅晶体生长，最终得到4H-SiC晶锭一块。
2.如权利要求1所述用于生长高质量碳化硅晶体原料提纯的处理方法，其特征在于：所述
3.如权利要求1所述用于生长高质量碳化硅晶体原料提纯的处理方法，其特征在于：氩气压强为0.1atm～1atm。
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