[发明专利]SONOS器件的形成方法

摘要

本发明提供一种SONOS器件的形成方法，包括：依次在半导体基底上形成ONO层、多晶硅层以及硬掩模层；形成覆盖所述多晶硅层和所述硬掩模层的侧表面的第一侧墙；利用各向异性刻蚀工艺刻蚀被暴露的ONO层，去除被暴露的ONO层的阻挡氧化层和电荷存储层；接着执行LDD注入，形成离子轻掺杂区；以及，形成覆盖第一侧墙的侧表面和剩余的ONO层的第二侧墙。本发明提供的SONOS器件的形成方法利用第二侧墙对多晶硅层下的电荷存储层进行保护，有助于避免后续刻蚀过程中对电荷存储层的过刻蚀，提高了器件的可靠性，并降低了工艺控制难度；此外，在对被暴露的ONO层进行刻蚀后接着执行LDD注入，无需再重新进行光刻，简化了工艺，控制了工艺成本。

主权项

1.一种SONOS器件的形成方法，其特征在于，包括：形成位于半导体基底上的ONO层、位于所述ONO层上的多晶硅层以及位于所述多晶硅层上的硬掩模层，所述ONO层包括沿远离所述半导体基底表面的方向依次叠加的隧穿氧化层、电荷存储层以及阻挡氧化层，所述ONO层的宽度大于所述多晶硅层的宽度；形成覆盖所述多晶硅层和所述硬掩模层的侧表面的第一侧墙，所述ONO层的宽度大于所述第一侧墙和所述多晶硅层的宽度之和；利用各向异性刻蚀工艺刻蚀被暴露的所述ONO层，以去除被暴露的所述ONO层中的阻挡氧化层和电荷存储层；接着执行LDD注入，在所述多晶硅层两侧的半导体基底中形成离子轻掺杂区；以及形成第二侧墙，所述第二侧墙覆盖所述第一侧墙的侧表面和剩余的所述ONO层。