[发明专利]半导体晶片、半导体芯片和制造半导体晶片的方法在审
| 申请号： | 201910307649.0 | 申请日： | 2019-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN110391202A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | O.布兰克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘茜璐;申屠伟进 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体晶片、半导体芯片和制造半导体晶片的方法。在实施例中，提供了一种半导体晶片，其包括多个组件位置，其中划线区域定位在组件位置邻近和之间中的至少一个。组件位置包括有源器件结构。至少一个辅助结构位于划线区域中的一个或多个中。辅助结构电耦合到包括钨的辅助接触焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体晶片 组件位置 半导体芯片 辅助结构 划线区域 接触焊盘 电耦合 源器件 制造 邻近 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片，包括：多个组件位置，其中划线区域定位在组件位置邻近和之间中的至少一个，组件位置包括有源器件结构，至少一个辅助结构，位于所述划线区域中的一个或多个中，其中所述辅助结构电耦合到包括钨的辅助接触焊盘，其中所述辅助接触焊盘包括暴露的钨表面。
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