[发明专利]一种像素内PPD pinning电压的测量方法在审
| 申请号： | 201910303977.3 | 申请日： | 2019-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN110108919A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 高静;龚雨琛;徐江涛;聂凯明 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00;H01L27/146 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 韩新城 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开一种像素内PPD pinning电压的测量方法，在4T像素结构上实现，在像素PPD远离FD节点一侧TD节点位置n+掺杂以改变像素内电势分布，设置M1管作为电荷注入选通管，pinning电压测试过程中，在电荷注入阶段，M1管选通，通过在TD节点注入电荷，调节注入电压Vinj测量输出电压Vout，得到Vout‑Vinj曲线并从中提取pinning电压，通过注入电压Vinj实现测量pinnig电压Vpin。本发明克服了JFET PPD测试结构存在的问题，pinnig电压测试过程中，在TD节点注入电荷来提取pinning电压，相比从FD节点注入，测试过程中不会受到TG电压影响。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 像素 电压测试 测量 测量输出电压 测试过程 测试结构 电势分布 电压影响 节点位置 像素结构 选通管 选通 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种像素内PPD pinning电压的测量方法，其特征在于，在4T像素结构上实现，在像素PPD远离FD节点一侧TD节点位置n+掺杂以改变像素内电势分布，设置M1管作为电荷注入选通管，M2管为FD节点的复位管RST，M3管为源级跟随器SF，M4管为像素选通管SEL；M1管的源端接TD节点，漏端接VDD电源；M2管的源端接FD节点与M3管栅极，漏端接电源电压VDD，M3管的漏端接电源VDD，源端接M4管的漏端；pinning电压测试过程中，在电荷注入阶段，M1管选通，通过在TD节点注入电荷，调节注入电压Vinj测量输出电压Vout，得到Vout‑Vinj曲线并从中提取pinning电压，通过注入电压Vinj实现测量pinnig电压Vpin。
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