[发明专利]集成高压电容器在审
| 申请号： | 201910302455.1 | 申请日： | 2019-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN110391208A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | C·D·安斯沃思 | 申请（专利权）人： | 升特股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 金辉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体器件包括半导体管芯和形成在半导体管芯上方的集成电容器。集成电容器配置为接收高压信号。在半导体管芯中形成跨阻抗放大器。雪崩光电二极管设置在半导体管芯上方或邻近处。集成电容器耦合在雪崩光电二极管和地节点之间。电阻器耦合在高压输入和雪崩光电二极管之间。电阻器是在半导体管芯上方形成的集成无源器件(IPD)。集成电容器的第一端子耦合到地电压节点。集成电容器的第二端子耦合到大于20伏的电压。在一个实施例中，集成电容器包括多个交叉指状物。在另一个实施例中，集成电容器包括多个垂直对齐的板。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电容器 半导体管芯 雪崩光电二极管 端子耦合 耦合 电阻器 集成无源器件 跨阻抗放大器 电容器 半导体器件 垂直对齐 高压输入 高压信号 集成高压 地电压 地节点 指状物 邻近 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体管芯；积层互连结构，包括集成电容器，所述集成电容器形成在半导体管芯上方，其中集成电容器包括多个交叉指状物；以及高压输入，耦合到集成电容器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于升特股份有限公司，未经升特股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910302455.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：薄膜覆晶封装结构
- 下一篇：在多重图案化工艺期间的电熔丝形成
