[发明专利]集成高压电容器

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体管芯；

积层互连结构，包括集成电容器，所述集成电容器形成在半导体管芯上方，其中集成电容器包括多个交叉指状物；以及

高压输入，耦合到集成电容器。

2.如权利要求1所述的半导体器件，还包括跨阻抗放大器，所述跨阻抗放大器形成在所述半导体管芯中。

3.如权利要求2所述的半导体器件，还包括雪崩光电二极管，所述雪崩光电二极管设置在所述半导体管芯邻近处并且电连接到所述集成电容器。

4.如权利要求3所述的半导体器件，还包括设置在雪崩光电二极管和半导体管芯之间的导电环氧树脂。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个交叉指状物在垂直和水平方向上相互交叉。

6.如权利要求1所述的半导体器件，还包括保护环，所述保护环围绕所述集成电容器形成。

7.如权利要求1所述的半导体器件，还包括集成电阻器，所述集成电阻器形成在所述半导体管芯上方，其中集成电容器通过所述集成电阻器耦合到所述高压输入。

8.一种半导体器件，包括：

半导体管芯；以及

集成电容器，所述集成电容器形成在半导体管芯上方，其中集成电容器配置为接收高压信号。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述集成电容器包括：

第一导电层，包括第一多个交叉指状物；和

第二导电层，包括第二多个交叉指状物，所述第二多个交叉指状物形成在第一导电层上方。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括形成在所述第一多个交叉指状物的第一指状物和所述第二多个交叉指状指状物的第二指状物之间的导电通路。

11.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供半导体管芯；

在半导体管芯上形成集成电容器；和

将集成电容器耦合到半导体器件的高压输入。

12.如权利要求11所述的方法，还包括通过以下方式形成集成电容器：

在半导体管芯上方形成第一导电层；和

图案化第一导电层以包括，

第一汇流条，

第二汇流条，所述第二汇流条与第一汇流条平行，

第一多个指状物，所述第一多个指状物从第一汇流条向第二汇流条延伸，并且

第二多个指状物，所述第二多个指状物从第二汇流条向第一汇流条延伸。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括：图案化所述第一导电层以包括围绕所述第一汇流条、第二汇流条、第一多个指状物和第二多个指状物的保护环。

14.如权利要求12所述的方法，还包括：

在第一导电层上方形成第二导电层；和

图案化第二导电层以包括第三多个指状物。

15.如权利要求11所述的方法，还包括：

提供接触焊盘，所述接触焊盘耦合到集成电容器；

在接触焊盘上方形成绝缘层；

在接触焊盘上方的绝缘层中形成开口；和

在接触焊盘和光电二极管之间带有导电材料的开口上方设置光电二极管。