[发明专利]一种硅基深孔微结构的制作方法在审
| 申请号： | 201910295607.X | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN111816558A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 李强;李资政;王笑夷;杨海贵;高劲松 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;B81C1/00 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 曹卫良 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种硅基深孔微结构的制作方法，包括先将硅片依次放入双氧水、氨水中各浸泡十分钟，然后用蒸馏水清洗干净放置洁净处晾干备用；微球去离子水中悬浊液，选取合适尺寸400nm‑100um的微球原溶液加入体积两倍的乙醇，并放入超声仪中超声处理半小时，使聚苯乙烯与乙醇混合均匀；微球在液面上形成单层有序的排列；利用液面沉降法将排列好的微球转移到硅片上；对微球尺寸进行缩减以获得特定的尺寸；利用镀膜技术向刻蚀后的样片上沉积10‑20nm的金属铬，去除微球形成铬膜上带有的孔阵列的微结构；以带有孔阵列的铬膜为掩膜，刻蚀后去除铬膜，最终制作而成硅基深孔微结构。为硅基材料微结构化提供了一种简单、高效、大面积、低成本的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基深孔 微结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
