[发明专利]无缺陷的钙钛矿薄膜、其制备方法及应用在审
| 申请号： | 201910288194.2 | 申请日： | 2019-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN110112300A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 范利生;孙璇;瞿光胤;田清勇;范斌 | 申请（专利权）人： | 苏州协鑫纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/46 | 分类号： | H01L51/46;H01L51/48;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发;王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种无缺陷的钙钛矿薄膜、其制备方法及应用，所述制备方法包括：1)将钙钛矿单晶溶于溶剂，形成钙钛矿前驱体溶液；2)采用所述钙钛矿前驱体溶液制作形成钙钛矿薄膜。本发明提供的方法工艺流程简单，易于操作；并且本发明采用钙钛矿单晶作为钙钛矿前驱体的原材料，可以完全消除材料纯度和AX与BX2物质配比存在的偏差，制作形成的钙钛矿薄膜质量高、稳定性好、无缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 钙钛矿薄膜 制备 前驱体溶液 单晶 物质配比 消除材料 工艺流程 前驱体 溶剂 制作 应用 | ||
【主权项】：
1.一种无缺陷的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于包括：1)将钙钛矿单晶溶于溶剂，形成钙钛矿前驱体溶液；2)采用所述钙钛矿前驱体溶液制作形成钙钛矿薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州协鑫纳米科技有限公司，未经苏州协鑫纳米科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910288194.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：太阳能电池
- 下一篇：一种调控钙钛矿层晶体生长的方法及其在太阳能电池中的应用
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
