[发明专利]太阳能电池在审
| 申请号： | 201910049165.0 | 申请日： | 2019-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN110112299A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 松井太佑;铃鹿理生 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/46 | 分类号： | H01L51/46;H01L51/42 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 王磊;徐健 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本公开提供一种具有高的耐久性的钙钛矿太阳能电池。本公开的太阳能电池，具备第1电极、第2电极、位于所述第1电极与所述第2电极之间的光吸收层、位于所述第1电极与所述光吸收层之间的第1半导体层、以及位于所述第2电极与所述光吸收层之间的第2半导体层。选自第1电极和第2电极之中的至少一个电极具有透光性。光吸收层含有由组成式AMX3表示的钙钛矿化合物。A表示一价阳离子。M表示二价阳离子。X表示卤素阴离子。第1半导体层含有Li。第2半导体层含有LiN(SO2CnF2n+1)2(其中，n为2以上的自然数)。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 半导体层 光吸收层 太阳能电池 钙钛矿化合物 二价阳离子 卤素阴离子 一价阳离子 钙钛矿 透光性 组成式 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池，具备第1电极、第2电极、位于所述第1电极与所述第2电极之间的光吸收层、位于所述第1电极与所述光吸收层之间的第1半导体层、以及位于所述第2电极与所述光吸收层之间的第2半导体层，其中，选自所述第1电极和所述第2电极之中的至少一个电极具有透光性，所述光吸收层含有由组成式AMX3表示的钙钛矿化合物，A表示一价阳离子，M表示二价阳离子，并且X表示卤素阴离子，所述第1半导体层含有Li，并且所述第2半导体层含有LiN(SO2CnF2n+1)2，其中，n为2以上的自然数。
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- 2019-01-15 - 2019-05-17 - H01L51/46
- 本发明涉及一种羟基铁量子点钙钛矿吸光层及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明的羟基铁量子点钙钛矿吸光层的钙钛矿吸光层中含有羟基铁量子点。本发明首次将羟基铁量子点掺入钙钛矿太能能电池，能增加钙钛矿晶粒尺寸；同时钝化钙钛矿膜的陷阱态，以及与配位金属阳离子和卤化物阴离子相互作用抑制电荷复合，从而大幅提高太阳电池的光电转化效率和长期稳定性。本发明羟基铁量子点采用水合法制备，工艺简单且合成成本低廉，有利于钙钛矿太阳能电池的商业化应用。本发明的钙钛矿太阳电池的光电转化效率高。
- 一种无铅有机无机阳离子共同杂化钙钛矿材料及其薄膜的制备方法-201611110421.5
- 马瑞新;王成彦;李士娜;武东;赵卫爽;马梓瑞 - 广州光鼎科技集团有限公司
- 2016-12-02 - 2019-05-17 - H01L51/46
- 本发明公开了一种无铅有机无机阳离子共同杂化钙钛矿材料及其薄膜的制备方法，所述无铅有机无机阳离子共同杂化钙钛矿材料由甲氨基或乙氨基等有机阳离子与Rb或Cs等无机阳离子共同杂化BiI3获得，并采用磁控溅射法制得无铅有机无机阳离子共同杂化钙钛矿薄膜。本发明涉及太阳能光电材料、半导体材料领域，以Bi取代Pb成为钙钛矿材料的中心离子，避免钙钛矿材料对环境的潜在污染，此外，Bi与有机无机阳离子共同杂化得到的钙钛矿材料具有较低的带隙，有利于电子跃迁，提高光电转化效率。
- 一种有机超晶格亚钛化过渡金属氧化物混合薄膜红外光敏材料-201610821727.5
- 姚博 - 绍兴文理学院
- 2016-09-14 - 2019-05-14 - H01L51/46
- 本发明公开了一种有机超晶格亚钛化过渡金属氧化物混合薄膜红外光敏材料，其步骤如下：步骤1，配置纳米二氧化钛悬浊液；步骤2，采用有机硅树脂薄片为基底，制备纳米二氧化钛薄膜；步骤3，将带有薄膜的有机硅树脂放入烘箱内进行烘干；步骤4，烧结得到二氧化钛‑二氧化硅薄膜；步骤5，配置过渡金属镀膜液；步骤6，将过渡金属镀膜液放置二氧化钛薄膜表面，采用旋转涂抹的方法在表面形成均匀的过渡金属薄膜；步骤7，将步骤6中的薄膜进行臭氧氧化，然后退火处理得到所需材料。本发明制备方法简单，解决了二氧化钛薄膜的平整度和均匀性低、缺陷大、粗糙度高等问题。
- 光电转换元件、太阳能电池及光电转换元件的制造方法-201580062878.0
- 山本阳介;佐藤宽敬;小林克 - 富士胶片株式会社
- 2015-11-19 - 2019-05-10 - H01L51/46
- 本发明的课题在于提供一种光电转换效率的变动较小、能够发挥稳定的电池性能、耐湿性与高湿耐光性优异的光电转换元件及太阳能电池以及光电转换元件的制造方法。本发明提供一种光电转换元件、使用该光电转换元件的太阳能电池以及光电转换元件的制造方法，所述光电转换元件具有：第1电极，在导电性支撑体上具有包含光吸收剂的感光层；第2电极，与第1电极对置；及空穴传输层，设置于第1电极与第2电极之间，其中，光吸收剂包含具有钙钛矿型晶体结构的化合物，该化合物具有周期表第一族元素或者阳离子性有机基团A的阳离子、周期表第一族元素以外的金属原子M的阳离子及阴离子性原子X的阴离子，相对于空穴传输层1mm3的有机溶剂的含量为1×10‑10～1×10‑7mol，所述光电转换元件的制造方法包括涂布空穴传输材料溶液并以40～180℃进行干燥的工序。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
