[发明专利]一种电阻法碳化硅长晶设备在审
申请号: | 201910276319.X | 申请日: | 2019-04-08 |
公开(公告)号: | CN109989105A | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 周元辉;刘春艳;张明福;胡春霞;刘洪亮;刘洪涛;范子龙;高雅蕾;姜树炎 | 申请(专利权)人: | 苏州优晶光电科技有限公司 |
主分类号: | C30B15/14 | 分类号: | C30B15/14;C30B29/36 |
代理公司: | 北京兴智翔达知识产权代理有限公司 11768 | 代理人: | 蒋常雪 |
地址: | 215613 江苏省苏州市张*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种电阻法碳化硅长晶设备,包括支撑架,所述支撑架的内部通过螺栓固定安装有工作台,且工作台的底端外表面靠近前端位置通过合页互动安装有柜门,柜门的前端外表面通过螺栓固定安装有把手,所述支撑架的前端外表面固定安装有导线管。本发明所述的一种电阻法碳化硅长晶设备,在每个分水管上均安装调节阀、流量表、压力表与温度表,并通过导线与控制器连接,能够实时的检测各个分水管的内部情况,便于及时的调整,通过将原有的加热方式改成螺旋石墨电阻片,在螺旋石墨电阻片通电时,由于螺旋石墨电阻片为螺旋状,在受到自身的磁场影响时径向涡流无法积累,因此不易变形,径向温度相对稳定,便于控制晶体所需的温度。 | ||
搜索关键词: | 石墨电阻 电阻法 碳化硅 支撑架 前端外表面 螺栓固定 分水管 工作台 温度表 压力表 控制器连接 不易变形 磁场影响 加热方式 径向涡流 控制晶体 前端位置 导线管 柜门的 流量表 螺旋状 原有的 底端 柜门 合页 互动 通电 把手 检测 积累 | ||
【主权项】:
1.一种电阻法碳化硅长晶设备,包括支撑架(1),其特征在于:所述支撑架(1)的内部通过螺栓固定安装有工作台(2),且工作台(2)的底端外表面靠近前端位置通过合页互动安装有柜门,柜门的前端外表面通过螺栓固定安装有把手,所述支撑架(1)的前端外表面固定安装有导线管,导线管远离支撑架(1)的一端固定安装有控制器(3),所述工作台(2)的顶端外表面靠近一侧位置焊接有罐体,罐体的内部有腔体槽(4),且腔体槽(4)的内表面粘接有石墨层(5),所述腔体槽(4)的内部中心处设有坩埚发生器(6),且坩埚发生器(6)的内表面靠近顶端位置固定安装有生长槽与籽晶适配器(7),罐体的顶端外表面设有密封盖,密封盖的底端外表面中心处与坩埚发生器(6)之间固定安装有石墨电阻加热器(8),所述工作台(2)的底端外表面与罐体之间连接有调节腔体(9),所述工作台(2)的底端外表面靠近调节腔体(9)的位置通过螺栓固定安装有升降电机(10),所述工作台(2)的底端设有水路系统(11)与UPS控制箱(14),且UPS控制箱(14)位于水路系统(11)的一侧,所述工作台(2)的顶端外表面远离罐体的一侧固定安装有电源(13),所述工作台(2)的顶端外表面靠近罐体的位置设有温控监测器(12)。
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