[发明专利]一种Topcon钝化结构的多细栅IBC电池及其制备方法

摘要

本发明的目的在于公开一种Topcon钝化结构的多细栅IBC电池及其制备方法，它包括N型单晶硅基体，在所述N型单晶硅基体的正面依次设置有前表面N+掺杂层和减反射层，在所述N型单晶硅基体的背面设置有二氧化硅隧穿层，所述二氧化硅隧穿层的背面分别设置有N型多晶硅掺杂层和P型多晶硅掺杂层，所述N型多晶硅掺杂层背面连接有负电极，所述P型多晶硅掺杂层背面连接有正电极；通过在背面采用超薄二氧化硅层和掺杂多晶硅层形成Topcon钝化结构，增加背面P型发射极的宽度比例，在加宽的P型发射极基础上设计多条细栅线，降低电池背面少子复合率，提升开路电压；减小发射极中少子被电极收集路径中的串联电阻和复合率，进一步提升电池转换效率。

主权项

1.一种Topcon钝化结构的多细栅IBC电池，其特征在于，它包括N型单晶硅基体，在所述N型单晶硅基体的正面依次设置有前表面N+掺杂层和减反射层，在所述N型单晶硅基体的背面设置有二氧化硅隧穿层，所述二氧化硅隧穿层的背面分别设置有N型多晶硅掺杂层和P型多晶硅掺杂层，所述N型多晶硅掺杂层背面连接有负电极，所述P型多晶硅掺杂层背面连接有正电极。