[发明专利]一种Topcon钝化结构的多细栅IBC电池及其制备方法

权利要求书

1.一种Topcon钝化结构的多细栅IBC电池，其特征在于，它包括N型单晶硅基体，在所述N型单晶硅基体的正面依次设置有前表面N+掺杂层和减反射层，在所述N型单晶硅基体的背面设置有二氧化硅隧穿层，所述二氧化硅隧穿层的背面分别设置有N型多晶硅掺杂层和P型多晶硅掺杂层，所述N型多晶硅掺杂层背面连接有负电极，所述P型多晶硅掺杂层背面连接有正电极。

2.如权利要求1所述的Topcon钝化结构的多细栅IBC电池，其特征在于，所述前表面N+掺杂层的厚度为0.1-0.5μm。

3.如权利要求1所述的Topcon钝化结构的多细栅IBC电池，其特征在于，所述减反射层的厚度为60-80nm，折射率为1.8-2.5。

4.如权利要求1所述的Topcon钝化结构的多细栅IBC电池，其特征在于，所述二氧化硅隧穿层的厚度为1-3nm。

5.如权利要求1所述的Topcon钝化结构的多细栅IBC电池，其特征在于，所述N型多晶硅掺杂层的掺杂浓度为1×10²⁰cm^-3-1×10²¹cm^-3，厚度为20-100nm，宽度为100-600μm。

6.如权利要求1所述的Topcon钝化结构的多细栅IBC电池，其特征在于，所述P型多晶硅掺杂层的掺杂浓度为1×10²⁰cm^-3-1×10²¹cm^-3，厚度为20-100nm，宽度为700-1600μm。

7.一种Topcon钝化结构的多细栅IBC电池的制备方法，其特征在于，它包括如下步骤：

S1、选择N型单晶硅片作为基体，并进行双面制绒处理；

S2、使用低压高温扩散炉对N型单晶硅基体正面进行磷扩散；

S3、在700-1000℃温度下退火，同时热生长生成一层二氧化硅隧穿层；

S4、使用LPCVD设备在N型单晶硅基体背面沉积掺硼的多晶硅层；

S5、使用PECVD设备在N型单晶硅基体正反面沉积氮化硅膜；

S6、使用激光开槽设备对N型区的氮化硅层进行激光开槽；

S7、使用LPCVD设备在N型单晶硅基体背面沉积掺磷的多晶硅层；

S8、在700-1000℃温度下退火激活掺杂的硼和磷；

S9、对N型单晶硅基体进行丝网印刷银浆和铝浆，形成正电极和负电极；

S10、将电池片放入烧结炉进行烧结，烧结温度为700-1000℃，最终得到IBC电池。

8.如权利要求7所述的Topcon钝化结构的多细栅IBC电池的制备方法，其特征在于，所述N型单晶硅基体的厚度为140-180μm，电阻率为1-10Ω/□。

9.如权利要求7所述的Topcon钝化结构的多细栅IBC电池的制备方法，其特征在于，在步骤S2中，扩散温度为800-1100℃，扩散时间为10-50分钟，扩散后N+掺杂层的方块电阻为100-160Ω/□，结深为0.1-0.5μm。

10.如权利要求7所述的Topcon钝化结构的多细栅IBC电池的制备方法，其特征在于，在步骤S5中，膜厚为40-80nm；折射率为1.8-2.5。