[发明专利]一种Demux电路的TFT结构在审
| 申请号： | 201910261352.5 | 申请日： | 2019-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN110047849A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人： | 林志峥 |
| 地址： | 351100 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种Demux电路的TFT结构，包括自下而上依次层叠设置的玻璃基板、第一金属层、半导体层、第一绝缘层和第二金属层；TFT的栅极设置在所述第二金属层中，TFT的源极和TFT的漏极分别设置在所述第一金属层中；所述第一绝缘层的厚度为预设第一值。本发明能够缩小设置Demux电路的区域中TFT结构的尺寸，从而达到缩小Demux电路尺寸的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 电路 绝缘层 第二金属层 第一金属层 半导体层 玻璃基板 依次层叠 漏极 预设 源极 | ||
【主权项】：
1.一种Demux电路的TFT结构，其特征在于，包括自下而上依次层叠设置的玻璃基板、第一金属层、半导体层、第一绝缘层和第二金属层；TFT的栅极设置在所述第二金属层中，TFT的源极和TFT的漏极分别设置在所述第一金属层中；所述第一绝缘层的厚度为预设第一值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
