[发明专利]一种测量半导体热阻的方法有效

专利信息
申请号: 201910251031.7 申请日: 2019-03-29
公开(公告)号: CN109975349B 公开(公告)日: 2022-01-21
发明(设计)人: 郭宇程;邓海东;方永新;孙顺清;黄珂明;廖泽雄 申请(专利权)人: 晶晨半导体(上海)股份有限公司
主分类号: G01N25/20 分类号: G01N25/20;G01R31/28
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 俞涤炯
地址: 201203 上海市浦东新区中国*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及集成电路技术领域,尤其涉及一种测量半导体热阻的方法,其中包括,步骤S1、提供数据收集系统,数据收集系统包括记录仪,记录仪预先记录嵌入式系统的环境温度;步骤S2、关闭嵌入式系统的温度控制,使得嵌入式系统运行于预设工作频率下测试嵌入式系统的CPU的温度差;步骤S3、记录仪记录与嵌入式系统的集成芯片相关的电源电压以及对应电源电压的电流,并将电源电压以及对应电源电压的电流与温度差记录至热阻参数表格;步骤S4、对照热阻参数表格以比较不同散热材质之间的热阻大小。有益效果:通过多点测量,测量精度高,节省人力,对整机功耗及各个分支功耗数据进行记录,计算方便,能够寻找到最好的散热材质,降低芯片制造成本。
搜索关键词: 一种 测量 半导体 方法
【主权项】:
1.一种测量半导体热阻的方法,适用于一嵌入式系统的集成电路板,其特征在于,包括:步骤S1、提供一数据收集系统,所述数据收集系统包括一记录仪,所述记录仪预先记录所述嵌入式系统的环境温度;步骤S2、关闭所述嵌入式系统的温度控制,使得所述嵌入式系统运行于一预设工作频率下测试所述嵌入式系统的CPU的温度差;步骤S3、所述记录仪记录与所述嵌入式系统的集成芯片相关的电源电压以及对应所述电源电压的电流,并将所述电源电压以及对应所述电源电压的电流与所述温度差记录至一热阻参数表格;步骤S4、对照所述热阻参数表格,以比较不同散热材质之间的热阻大小。
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