[发明专利]一种测量半导体热阻的方法

说明书

本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种测量半导体热阻的方法，其中包括，步骤S1、提供数据收集系统，数据收集系统包括记录仪，记录仪预先记录嵌入式系统的环境温度；步骤S2、关闭嵌入式系统的温度控制，使得嵌入式系统运行于预设工作频率下测试嵌入式系统的CPU的温度差；步骤S3、记录仪记录与嵌入式系统的集成芯片相关的电源电压以及对应电源电压的电流，并将电源电压以及对应电源电压的电流与温度差记录至热阻参数表格；步骤S4、对照热阻参数表格以比较不同散热材质之间的热阻大小。有益效果：通过多点测量，测量精度高，节省人力，对整机功耗及各个分支功耗数据进行记录，计算方便，能够寻找到最好的散热材质，降低芯片制造成本。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种测量半导体热阻的方法。

背景技术

随着国产集成电路发挥的作用越来越大，对其可靠性的要求也越来越高，而准确快捷的测量其结到壳的热阻及其主要热传导路径上的热学参数是保证其可靠性的关键步骤。

通过测量芯片工作时的壳温和芯片周围空气环境的温度，就可获得芯片功耗大小的测量方法，但是设备较贵，算法复杂，成本较高，因此，不予推广，使用范围受到限制。

发明内容

针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种测量半导体热阻的方法。

具体技术方案如下：

一种测量半导体热阻的方法，适用于一嵌入式系统的集成电路板，其中包括：

步骤S1、提供一数据收集系统，所述数据收集系统包括一记录仪，所述记录仪预先记录所述嵌入式系统的环境温度；

步骤S2、关闭所述嵌入式系统的温度控制，使得所述嵌入式系统运行于一预设工作频率下测试所述嵌入式系统的CPU(中央处理器，Central Processing Unit)的温度差；

步骤S3、所述记录仪记录与所述嵌入式系统的集成芯片相关的电源电压以及对应所述电源电压的电流，并将所述电源电压以及对应所述电源电压的电流与所述温度差记录至一热阻参数表格；

步骤S4、对照所述热阻参数表格，以比较不同散热材质之间的热阻大小。

优选的，于所述步骤S1中，所述记录仪预先记录所述嵌入式系统的环境温度之前，将所述嵌入式系统的集成电路板浮空设置。

优选的，于所述步骤S2中，所述预设工作频率至少设置为100MHZ；

或二分之一的所述CPU的最大运行频率；

或所述CPU的最大运行频率。

优选的，于所述步骤S3中，与所述嵌入式系统的集成芯片相关的电源电压包括1.8V的电源输出电压；和/或

CPU的电源电压；和/或

存储芯片输出缓冲供电电压。

优选的，所述步骤S2中，于测试所述嵌入式系统的CPU的温度差的过程中，使用红外或热耦或热传感器记录所述温度差。

优选的，于所述步骤S2中，所述预设工作频率至少分为由大致小的依次排列的四个台阶频率，至少四个所述台阶频率分别进行预处理循环过程。

优选的，所述预处理循环过程为先升高所述台阶频率，接着降低所述台阶频率，以此循环进行。

优选的，于进行预处理循环过程中，在每个所述台阶频率处至少稳定一预设时间。

优选的，所述预设时间至少设置为15分钟。