[发明专利]放大电路有效
| 申请号： | 201910246153.7 | 申请日： | 2019-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN110324012B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 渡边大介 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03F1/22 | 分类号： | H03F1/22;H03F3/19 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李国华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种放大电路，是防止了振荡的稳定的级联连接型的放大电路。放大电路(1)具备：与电源(31)连接的电源端子(53)；具有源极端子(S1)、漏极端子(D1)及被输入高频信号的栅极端子(G1)的晶体管(20)；具有与漏极端子(D1)连接的源极端子(S2)、输出高频信号的漏极端子(D2)及被接地的栅极端子(G2)的晶体管(10)；串联配置在连结栅极端子(G2)与电源端子(53)的第二路径上的电容器(13)；以及串联配置在上述第一路径上或上述所述第二路径上的开关(14)，漏极端子(D2)与栅极端子(G2)经由开关(14)及电容器(13)而连接。 | ||
| 搜索关键词： | 放大 电路 | ||
【主权项】：
1.一种放大电路，具备：输入端子，其被输入高频信号；输出端子，其将放大后的所述高频信号输出；电源端子，其与产生直流电源电压的电源连接；第一晶体管，其具有第一端子、第二端子及经由所述输入端子被输入高频信号的第一控制端子；第二晶体管，其具有与所述第二端子连接的第三端子、将放大后的高频信号输出的第四端子及被接地的第二控制端子，且与所述第一晶体管级联连接；第一电容元件，其串联配置在连结所述第二控制端子与所述电源端子的第二路径上；以及第一电阻性元件，其是串联配置在连结所述第四端子与所述电源端子的第一路径及所述第二路径中的任一路径上的第一电阻元件或第一开关元件，所述第四端子与所述第二控制端子经由所述第一电阻性元件及所述第一电容元件而连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社村田制作所，未经株式会社村田制作所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910246153.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 合并堆叠式FET放大器中的阻抗控制-202180072130.4
- 泰罗·塔皮奥·兰塔 - 派赛公司
- 2021-09-20 - 2023-07-14 - H03F1/22
- 提出了用于控制堆叠式FET放大器的中间节点的阻抗的方法和设备。根据一个方面，与放大器的共源共栅FET晶体管的栅极耦接的串联连接的电阻性和电容性网络提供对向晶体管的源极看过去的阻抗的实部和虚部的控制。根据另一方面，与第一网络耦接的第二并联连接的电阻性和电感性网络提供对阻抗的实部和虚部的进一步控制。根据另一方面，第一网络和/或第二网络的组合提供对阻抗的控制，以抵消阻抗的电抗分量。根据另一方面，这样的组合针对由放大器输出的RF电压跨放大器的堆叠的FET晶体管的分布来提供对实部的控制。
- 放大电路-201910246153.7
- 渡边大介 - 株式会社村田制作所
- 2019-03-28 - 2023-06-30 - H03F1/22
- 提供一种放大电路，是防止了振荡的稳定的级联连接型的放大电路。放大电路(1)具备：与电源(31)连接的电源端子(53)；具有源极端子(S1)、漏极端子(D1)及被输入高频信号的栅极端子(G1)的晶体管(20)；具有与漏极端子(D1)连接的源极端子(S2)、输出高频信号的漏极端子(D2)及被接地的栅极端子(G2)的晶体管(10)；串联配置在连结栅极端子(G2)与电源端子(53)的第二路径上的电容器(13)；以及串联配置在上述第一路径上或上述所述第二路径上的开关(14)，漏极端子(D2)与栅极端子(G2)经由开关(14)及电容器(13)而连接。
- 电路装置、通信设备和用于对晶体管堆进行偏置的方法-202310225704.8
- 普贾·韦格;帕·卡希什 - 派赛公司
- 2017-09-08 - 2023-06-23 - H03F1/22
- 本发明涉及电路装置、通信设备和用于对晶体管堆进行偏置的方法。电路装置包括晶体管堆和包括晶体管堆的复制电路的偏置电路，电路装置在至少有源模式和待机模式下操作，在有源模式下的操作期间，偏置电路基于传导通过复制电路的参考电流生成输入栅极偏置电压，偏置电路生成到复制电路的共源共栅晶体管的偏置电压，偏置电压基本上等于在有源模式下的操作期间和在待机模式下的操作期间到晶体管堆的相应共源共栅晶体管的偏置电压，且偏置电路在待机模式下的操作期间生成到复制电路的共源共栅晶体管的偏置电压，偏置电压基本上等于在有源模式下的操作期间到复制电路的共源共栅晶体管的偏置电压。
- 堆叠晶体管放大器的本体连结优化-202310109642.4
- 西蒙·爱德华·威拉德;克里斯·奥尔松;泰罗·塔皮奥·兰塔 - 派赛公司
- 2016-10-14 - 2023-06-09 - H03F1/22
- 本发明涉及堆叠晶体管放大器的本体连结优化。晶体管堆叠可以包括浮动器件和本体连结的器件的组合。可以通过使用单个本体连结的器件作为堆叠的输入晶体管或者作为堆叠的输出晶体管同时堆叠的其他晶体管为浮动晶体管来获得RF放大器的改进性能。可以通过在堆叠中全部使用本体连结的器件来改进RF放大器的瞬态响应。
- 放大电路、加法电路、接收电路以及集成电路-201880088740.1
- 加纳英树 - 株式会社索思未来
- 2018-02-08 - 2023-05-02 - H03F1/22
- 本发明提供一种放大电路，具有：第一电流源(IS11)，与供给第一电位的电源线连接；差分输入电路(TR11、TR12)，连接在第一电流源与第一节点之间，接受差分输入信号；第二电流源(IS12、IS13)，连接在第一节点和供给第二电位的电源线之间；以及负载电路(R11、R12)，连接在第二节点和供给第一电位的电源线之间，而且在第一节点与第二节点之间连接电感器电路(L13、L14)，从而实现低电压化与线性的兼得。
- 用于快速射频放大器偏置恢复的待机电压条件-201780056671.1
- 普贾·韦格;帕·卡希什 - 派赛公司
- 2017-09-08 - 2023-03-31 - H03F1/22
- 用于对放大器的堆叠晶体管的一个或更多个栅极进行偏置的各种方法和电路装置在放大器被配置成在至少有源模式和待机模式下操作的情况下是可行的。电路装置可以在待机模式下减小操作期间偏置电路待机电流，同时使得能够快速恢复至放大器的正常操作条件。可以通过使用复制堆叠电路获得对堆叠晶体管的输入晶体管的偏置。
- 低噪声放大器电路-201810957771.8
- P.希沃南;J.贾西拉;S.维尔奥南 - 瑞典爱立信有限公司
- 2015-02-23 - 2022-08-09 - H03F1/22
- 用于将单端输入信号转换为差分输出信号的放大器（300）。该放大器（300）包括第一晶体管（301）、第二晶体管（302）、第三晶体管（303）和第四晶体管（304）。以共源极或共发射极模式配置的第一晶体管（301）接收单端输入信号并且生成差分输出信号的第一部分。以共源极或共发射极模式配置的第二晶体管（302）生成差分输出信号的第二部分。第三和第四晶体管（303，304）电容性交叉耦合。放大器（300）还包括电感退化，使得第一晶体管（301）的源极或发射极连接至第一电感器（321）并且第二晶体管（302）的源极或发射极连接至第二电感器（322）。
- 一种射频接收机-201980102361.8
- 周杰;余永长;李伟男 - 华为技术有限公司
- 2019-11-29 - 2022-07-08 - H03F1/22
- 本申请实施例提供一种射频接收机，涉及电子技术领域，用于实现射频接收机的精确增益调节。该射频接收机包括：跨导级放大器(GM)，用于接收射频信号；与所述跨导级放大器的输出端耦合的第一载波放大支路和第二载波放大支路，所述第一载波放大支路用于输出第一载波信号，所述第二载波放大支路用于输出第二载波信号；其中，所述第一载波放大支路和所述第二载波放大支路中均包括增益调节模块，用于分别调节所述第一载波信号和所述第二载波信号的增益，所述增益调节模块包括分流管和补偿管，所述分流管包括至少两个晶体管，所述分流管中的晶体管的一端与电源端耦合，所述补偿管中的晶体管的一端与负载耦合。
- 级联放大器的导通时间加速-202080081248.9
- 埃姆雷·艾兰哲;尼拉詹·什里坎特·帕拉贾普 - 派赛公司
- 2020-11-17 - 2022-07-08 - H03F1/22
- 提出了用于减少级联放大器的导通时间的各种方法和电路布置。根据一个方面，在放大器的操作的非活动模式期间，耦接至放大器的级联晶体管的可配置开关布置将级联晶体管的栅极短接至参考地。在放大器的操作的活动模式期间，可配置开关布置将被预充电至高于到级联晶体管的栅极偏置电压的电压的栅极电容器耦接至级联晶体管的栅极，这确保了级联晶体管比传统帽接地的方法导通得快得多，因此通过不限制输入晶体管的导通时间而在较短时间内提供流过级联放大器的最终电流。栅极偏置电压经由电阻器耦接至栅极电容器。还提供了预充电电压与级联放大器的晶体管的最小饱和电压和阈值电压之间的关系。
- 半导体电路-202110225642.1
- 濑下敏树;栗山保彦 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
- 2021-03-01 - 2022-03-18 - H03F1/22
- 半导体电路具备放大电路、输出电路以及旁路电路。放大电路包含级联连接的第一及第二晶体管，使经由输入端子向第一晶体管的栅极供给的信号放大。输出电路包含连接于放大电路的第一节点、第一及第二输出端子，使用第一或者第二输出模式执行输出动作，第一输出模式使用了第一及第二输出端子中的某个，第二输出模式使用了第一及第二输出端子。旁路电路连接在输入端子与第一节点间。输出电路包含连接在第二节点与第一输出端子间的第一开关电路、连接在第三节点与第二输出端子间的第二开关电路、连接在第二与第三节点间的第三开关电路、连接于第二节点的第一无源电路、连接于第三节点的第二无源电路、连接在第二与第三节点间的至少一个第三无源电路。
- 具有共源共栅级和DC偏置调节器的多级放大器-201680054741.5
- V·S·卡佩尔 - 雷声公司
- 2016-08-05 - 2022-01-11 - H03F1/22
- 具有第一放大器级(12)的多级放大器(10”)包括：布置在共源共栅放大器布置中的一对晶体管以及隔离电路；以及耦合到第一放大器级的输出的第二放大器级(13)；以及具有参考晶体管的偏置调节器(14)。共源共栅放大器布置包括布置在共源共栅放大器布置中的一对晶体管。偏置调节器(14)产生通过参考晶体管的参考电流和作为通过参考晶体管的参考电流的函数的在共源共栅放大器布置中的该对晶体管中的每个晶体管的控制电极的DC偏置电压。
- 用于包络跟踪应用的复合共源共栅功率放大器-202110613094.X
- 阿列克谢·A·利亚林;许慧明;S·法拉瓦什;R·U·马恩科波夫 - 天工方案公司
- 2021-06-02 - 2021-12-07 - H03F1/22
- 本文提供了用于包络跟踪应用的复合共源共栅功率放大器。在某些实施例中，包络跟踪系统包括复合共源共栅功率放大器，其放大射频(RF)信号并从功率放大器供电电压接收功率；以及包络跟踪器，该包络跟踪器基于RF信号的包络产生功率放大器供电电压。复合共源共栅功率放大器包括用于放大RF信号的增强模式(E‑MODE)场效应晶体管(FET)和与E‑MODE FET共源共栅的耗尽模式(D‑MODE)FET。
- 用于带内载波聚合的接收器前端架构-202110939282.1
- G·拉简德兰;G·S·萨霍塔;R·库马 - 高通股份有限公司
- 2015-09-30 - 2021-11-12 - H03F1/22
- 公开了一种用于带内载波聚合的接收器前端架构。在示例性实施例中，一种装置包括第一晶体管，第一晶体管具有接收输入信号的栅极端子、输出放大信号的漏极端子、以及通过源极退化电感器连接至信号地的源极端子。该装置还包括第二晶体管，第二晶体管具有连接至第一晶体管的漏极端子的源极端子和连接至第一负载的漏极端子。该装置还包括第三晶体管，第三晶体管具有连接至第一晶体管的漏极端子的栅极端子、连接至第二负载的漏极端子和连接至信号地的源极端子。
- 高频放大器-202110387971.6
- 桥长达也;森山丰 - 住友电气工业株式会社
- 2021-04-12 - 2021-10-22 - H03F1/22
- 本发明提供一种高频放大器。高频放大器具备：非对称多赫蒂放大器，包括载波放大器和峰值放大器，并将输入的高频信号放大；驱动放大器，驱动非对称多赫蒂放大器；分支电路，将由驱动放大器放大而得到的高频信号分支到峰值放大器侧的输入路径和载波放大器侧的输入路径；相位调整电路，使峰值放大器的输入信号的相位和载波放大器的输入信号的相位中的至少一方延迟；第一基板；第二基板；及基底构件，搭载第一基板和第二基板。在将n设为0以上的整数的情况下，从驱动放大器的输出端子到峰值放大器的输入端子为止的电长度被设定为，在换算成输入的高频信号的相位时，处于(2n+1)×π‑π/4至(2n+1)×π+π/4的范围内。
- 用于带内载波聚合的接收器前端架构-201580061296.0
- G·拉简德兰;G·S·萨霍塔;R·库马 - 高通股份有限公司
- 2015-09-30 - 2021-08-20 - H03F1/22
- 公开了一种用于带内载波聚合的接收器前端架构。在示例性实施例中，一种装置包括第一晶体管，第一晶体管具有接收输入信号的栅极端子、输出放大信号的漏极端子、以及通过源极退化电感器连接至信号地的源极端子。该装置还包括第二晶体管，第二晶体管具有连接至第一晶体管的漏极端子的源极端子和连接至第一负载的漏极端子。该装置还包括第三晶体管，第三晶体管具有连接至第一晶体管的漏极端子的栅极端子、连接至第二负载的漏极端子和连接至信号地的源极端子。
- 一种应用于功率放大器的功率检测电路-202110502800.3
- 罗彦彬;金玉花;钱敏;甘业兵 - 杭州中科微电子有限公司
- 2021-05-10 - 2021-08-20 - H03F1/22
- 本发明公开了一种应用于功率放大器的功率检测电路。解决现有功率检测电路结构复杂，成本增加，不能完全集成，功率放大器输出功率受影响的问题。电路包括第一转换电路和第二转换电路，误差放大器，功率检测输出电路，第一转换电路输出射频信号连接误差放大器正相输入端，第二转换电路输出参考信号连接误差放大器反相输入端，第一转换电路接收由功率放大器的耦合器获得的信号，结合直流偏置共同控制输入误差放大器正相输入端信号；误差放大器对比第一转换电路和第二转换电路的电压变化输出功率检测电压；功率检测输出电路与误差放大器输出端连接。电路结构简单，易于集成，降低了成本。功率检测电路精度高，对功率放大器性能影响小。
- 用于优化共栅共源放大器关闭的装置-202080007577.9
- S.I.小霍奇 - 斯兰纳亚洲有限公司
- 2020-01-06 - 2021-08-13 - H03F1/22
- 公开了一种用于关闭具有共栅晶体管和共源晶体管的共源共栅放大器的装置，所述装置包括所述共源共栅放大器、反馈电路和偏置电路。所述反馈电路被配置为当所述共源晶体管切换到第一关断状态时从所述共源晶体管的漏极接收漏极电压，并且产生第一反馈信号。所述漏极电压等于所述共栅晶体管的源极电压，并且响应于将所述共源晶体管切换到所述第一关断状态，所述漏极电压增加。所述偏置电路被配置为接收所述第一反馈信号并产生偏置电压。从所述偏置电压产生第一栅极电压。所述共源共栅放大器被配置为接收所述第一栅极电压和第二栅极电压。所述共栅晶体管被配置为响应于接收到所述第二栅极电压而切换到第二关断状态。
- 功率放大电路-202011532387.7
- 榎本纯;渡边一雄;田中聪;田中佑介;伊藤真音 - 株式会社村田制作所
- 2020-12-22 - 2021-08-06 - H03F1/22
- 本发明提供一种抑制高频信号的失真的功率放大电路。包含功率放大器和调整电路，功率放大器包含：第1晶体管，第1端子与基准电位电连接，在第2端子被输入第1电流，并且被输入高频信号，第3端子经由第1电感器与第1电源电位电连接；电容器，一端与第1晶体管的第3端子电连接；以及第2晶体管，第1端子与电容器的另一端电连接，并且经由第2电感器与基准电位电连接，在第2端子被输入第2电流，并且与基准电位电连接，第3端子经由第3电感器与第1电源电位电连接，从第3端子输出高频输出信号，调整电路将与第1电源电位或第2电源电位相应的第3电流输出到第2晶体管的第2端子。
- 高频放大器-201810175891.2
- 竹中功 - 瑞萨电子株式会社
- 2013-03-04 - 2021-07-27 - H03F1/22
- 本发明提供一种高频放大器，其在宽频带范围内在确保工作稳定性的同时得到低失真特性。该高频放大器包括：第1晶体管(Tr1)，其源极接地；第2晶体管(Tr2)，其与第1晶体管构成栅地‑阴地放大器电路；串联电路，其连接于第2晶体管栅极和接地之间，且第1电阻元件(R1)及串联共振电路(相当于L1、C1)串联连接；以及第2电阻元件(R2)，其与串联电路并联连接。
- 跨阻放大器以及用于光信号的具有光电二极管和跨阻放大器的接收器电路-201980077033.7
- 蒂姆·博埃斯科 - 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司
- 2019-11-20 - 2021-07-23 - H03F1/22
- 本发明涉及一种跨阻放大器，其具有电压控制的运算放大器，运算放大器具有连接到地的同相输入端、接收待放大的电流信号的反相输入端，通过耦合电阻与反相输入端耦合的输出端和掉电输入端(PWDN‑Eingang)，掉电输入端在接收到至少一个掉电信号(PWDN)后被激活，使得至少一个内部电源被停用。
- 用于载波聚集的具有基于变压器的信号分路的低噪声放大器-201710202115.2
- A·B·戴维瓦拉;A·M·塔希奇 - 高通股份有限公司
- 2013-05-24 - 2021-06-25 - H03F1/22
- 公开了用于载波聚集的具有基于变压器的信号分路的低噪声放大器。在示例性设计中，一种装置(例如，无线设备、集成电路等)包括放大器电路、变压器、以及多个下变频器。该放大器电路接收并放大输入射频(RF)信号并提供经放大RF信号。该输入RF信号包括在处于不同频率的多个载波上发送给无线设备的传输。该变压器包括耦合到该放大器电路的初级线圈和提供多个输出RF信号的多个次级线圈。该多个下变频器用处于不同频率的多个本地振荡器(LO)信号对这多个输出RF信号进行下变频。每一下变频器包括接收一个输出RF信号和一个LO信号并为正被接收的一个载波集提供同相和正交经下变频信号的混频器对。
- 放大电路-201980031795.3
- 渡边大介;别府伸耕 - 株式会社村田制作所
- 2019-05-15 - 2020-12-18 - H03F1/22
- 放大电路(1)具备：FET(10)，具有源极端子(S1)、漏极端子(D1)、栅极端子(G1)；FET(20)，具有源极端子(S2)、漏极端子(D2)、栅极端子(G2)，并与FET(10)并联连接；FET(30)，具有与漏极端子(D1以及D2)连接的源极端子(S3)、漏极端子(D3)、以及栅极端子(G3)，并与FET(10以及20)进行共源共栅连接；以及反馈电路(21以及22)，将从源极端子(S2)或漏极端子(D2)输出的高频信号反馈到栅极端子(G2)，将FET(20)的栅极宽度W2除以FET(20)的栅极长度L2的值W2/L2比将FET(10)的栅极宽度W1除以FET(10)的栅极长度L1的值W1/L1小。
- 放大电路-202010134530.0
- 梶山新也;锅田忠宏 - 株式会社日立制作所
- 2020-03-02 - 2020-12-01 - H03F1/22
- 本发明的目的是在被输入了过大信号的情况下也抑制放大电路的饱和、降低信号消失的空闲期间。放大电路(100)具备：包括NPN晶体管(双极晶体管)(111)的发射极接地放大电路(放大电路主体)(110)、以及维持发射极接地放大电路(110)的NPN晶体管(111)的基极－集电极间的电位关系的钳位电路(130)。钳位电路(130)具有电平移位电路(131)、以及抑制发射极接地放大电路(110)的NPN晶体管(111)的集电极电位下降的钳位二极管(132)。
- 无线通信系统接收器以及放大器-201710260895.6
- 吕思壮;简敦正;陈彦宏;虞继尧;卓联洲;唐志淳 - 联发科技（新加坡）私人有限公司
- 2010-09-09 - 2020-11-20 - H03F1/22
- 一种无线通信系统接收器以及放大器，无线通信系统接收器包含：多个信号处理元件，根据射频信号产生接收器输出，所述多个信号处理元件包括放大器，其中放大器中包含AB类偏置放大器；其中所述多个信号处理元件设置于芯片上，且所述AB类偏置放大器在所述芯片包含的其他放大器之前处理对应于所述射频信号的信号。本发明所提供的无线通信系统接收器以及放大器，能够抑制噪声且具有改善的动态范围和功率效率，并且可减少产生二次谐波。
- 一种信号链路寄生优化系统-202010577695.5
- 王永;吴巍 - 南京宇都通讯科技有限公司
- 2020-06-23 - 2020-10-16 - H03F1/22
- 本发明公开了一种信号链路寄生优化系统，包括集成电路，其特征在于：所述集成电路包括模拟电路和射频电路，所述模拟电路和射频电路中均包含有信号放大器，且所述模拟电路和射频电路中均设置有直流失调校准电路与信号放大器连接，所述直流失调校准电路设置有电流源，在需要引入电流校准的电路中，在电流源和电路之间串联连接优化器，所述优化器包含有mos开关和电阻。通过增加的串联开关或者传输开关、电阻，很好的屏蔽了电流源由于大尺寸引入的寄生电容，大大减少了电路设计者后仿真的优化工作量，还避免了引入直流校准电流而给正常工作的信号链路增加额外大的寄生电容，从而保证了信号链路的频域特性。
- 漏极共享分离LNA-201980011004.0
- 迈尔斯·萨内;埃姆雷·艾兰哲 - 派赛公司
- 2019-01-28 - 2020-09-29 - H03F1/22
- 本文公开了具有低噪声放大器(LNA)的接收机前端(300)。可以使用输出FET的栅极来使共源共栅导通或截止，该共源共栅具有配置有“公共源极”的输入FET和配置有“公共栅极”的输出FET。提供第一开关(235)，其允许在每个LNA的输入FET的源极端子之间建立或破坏连接。在输入FET的漏极端子之间提供漏极开关(260)，以将输入FET并联放置。这增加了放大器的输入级的g
- 最佳电流控制CMOS级联放大器-201610962927.2
- W.巴卡尔斯基 - 英飞凌科技股份有限公司
- 2016-11-04 - 2020-08-11 - H03F1/22
- 本发明涉及最佳电流控制CMOS级联放大器。一种CMOS级联放大器包括级联电路，所述级联电路包括多个并联支路，每个支路包括形成级联对的串联连接的第一晶体管和第二可切换晶体管，其中所述级联电路被配置为放大输入信号。CMOS级联放大器还包括：偏置电路，被配置为通过将偏置信号提供给级联电路中的多个支路中的每个支路中的第一晶体管来偏置级联电路。另外，CMOS级联放大器包括开关控制电路，所述开关控制电路被配置为基于通过提供接通一个或多个激活的支路中的第二可切换晶体管的开关控制信号来选择性地激活所述多个支路而控制级联电路中的静态电流。
- 滤除信号的阻滞分量-201580004784.8
- M·B·瓦希德法尔;A·科米加尼;A·卡欧希安;M·塔格瓦德;A·卡利里 - 高通股份有限公司
- 2015-01-14 - 2020-02-18 - H03F1/22
- 一种装置包括被配置成接收输入信号的主放大器。该主放大器还被配置成生成输出信号。该装置还包括辅助路径，其被配置成对输入信号进行相移以生成消去信号以减少或消去输出信号的阻滞分量。
- 具有双增益控制的载波聚合放大器-201580026491.X
- A·A·M·尤塞夫;E·A·S·阿布德尔格哈尼;L-C·常 - 高通股份有限公司
- 2015-05-12 - 2019-05-31 - H03F1/22
- 一种装置，包括被配置为放大第一载波信号的第一放大级和被配置为放大第二载波信号的第二放大级。第一放大级被直流(DC)耦合至第二放大级。第一电路装置耦合至第一放大级并且被配置为控制第一放大级的第一增益。第一电路装置包括被配置为从第一放大级的第一输出选择性地转移第一泄放电流的第一增益控制晶体管。第二电路装置耦合至第二放大级并且被配置为独立于第一增益来控制第二放大级的第二增益。第二电路装置包括被配置为从第二放大级的第二输出选择性地转移第二泄放电流的第二增益控制晶体管。
- 高线性度推挽式共栅放大器-201610032207.6
- 瓦迪姆·伊萨科夫;康拉德·赫希;赫伯特·施托金格;哈拉尔德·多普科 - 英特尔IP公司
- 2016-01-18 - 2019-03-15 - H03F1/22
- 描述了高线性度推挽式共栅放大器。放大器用于通过具有第一晶体管类型的第一晶体管的推级和具有第二晶体管类型的第二晶体管的拉级提供高输出阻抗，其中第二晶体管类型不同于第一晶体管类型。第一晶体管和第二晶体管在共栅配置中相耦接。第一晶体管和第二晶体管经由耦接到输入的电容器耦接在一起，并共享公共电流路径，作为具有宽带输入匹配的推挽电流复用共栅低噪声放大器。
- 专利分类
