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- [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202310105292.4在审
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森山豊;桥长达也
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住友电气工业株式会社
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2023-02-13
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2023-09-15
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H01L23/495
- 本发明提供能实现低成本化的半导体装置及其制造方法。半导体装置(50)具备：金属板(10)，具备基底部(10a)和与所述基底部分离的端子部(10b)；树脂层(12)，被设于所述基底部与所述端子部之间并且被设为在俯视方向上包围所述金属板，所述基底部和所述端子部的上表面和下表面在所述树脂层露出；半导体芯片(14)，搭载于所述基底部上；第一绝缘层(18)，以覆盖所述半导体芯片的方式被设于所述金属板和所述树脂层上；以及一个或多个布线(20)，设于所述第一绝缘层上，至少一个布线(20a)将所述半导体芯片与所述端子部电连接。
- 半导体装置及其制造方法
- [发明专利]偏置电路-CN202310653400.1在审
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丹后英树;桥长达也;辻晴寿
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住友电气工业株式会社
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2017-02-22
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2023-09-05
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G05F1/56
- 本发明涉及偏置电路。本发明包括：第一电源(3)，被配置成输出第一栅极偏置电压将功率放大器(2)转到导通状态所需的电压；第二电源(4)，被配置成输出第二栅极偏置电压将功率放大器(2)转到截止状态所需的电压；转换开关(5)，连接在第一电源(3)和功率放大器(2)之间并且被配置成基于与功率放大器(2)的通‑断控制有关的控制信号通过将第一电源(3)和电源之间的状态切换到开路状态或者短路状态将第一栅极偏置电压或第二栅极偏置电压供应给功率放大器(2)；以及电阻值变化单元(15)，被连接在第二电源(4)和功率放大器(2)之间，并且被配置成使得其电阻值是可变的。
- 偏置电路
- [发明专利]偏置电路-CN201780084323.5有效
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丹后英树;桥长达也;辻晴寿
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住友电气工业株式会社
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2017-02-22
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2023-06-27
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H03F1/30
- 本发明包括：第一电源(3)，被配置成输出第一栅极偏置电压将功率放大器(2)转到导通状态所需的电压；第二电源(4)，被配置成输出第二栅极偏置电压将功率放大器(2)转到截止状态所需的电压；转换开关(5)，连接在第一电源(3)和功率放大器(2)之间并且被配置成基于与功率放大器(2)的通‑断控制有关的控制信号通过将第一电源(3)和电源之间的状态切换到开路状态或者短路状态将第一栅极偏置电压或第二栅极偏置电压供应给功率放大器(2)；以及电阻值变化单元(15)，被连接在第二电源(4)和功率放大器(2)之间，并且被配置成使得其电阻值是可变的。
- 偏置电路
- [发明专利]高频放大器-CN202180007510.X在审
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桥长达也;森山丰
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住友电气工业株式会社
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2021-01-05
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2022-08-12
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H03F3/60
- 一种高频放大器，具备：非对称多尔蒂放大器，具备载波放大器和在所述载波放大器的输出达到了饱和区域的情况下开始放大动作且具有与所述载波放大器不同的饱和输出的峰值放大器，将输入的波长λ的高频信号放大；驱动放大器，驱动所述非对称多尔蒂放大器；分支电路，将由所述驱动放大器放大后的高频信号向所述峰值放大器侧的输入路径和所述载波放大器侧的输入路径分支；相位调整电路，设置于所述峰值放大器侧的路径和所述载波放大器侧的路径的任一方，使所述峰值放大器的输入信号的相位和所述载波放大器的输入信号的相位的任一方延迟；第一基板，搭载有所述载波放大器及所述峰值放大器；及第二基板，搭载有所述驱动放大器、所述分支电路及所述相位调整电路，在将所述第二基板以重叠的方式层叠于所述第一基板的情况下，所述驱动放大器的输入端子和所述载波放大器的输入端子处于互相投影的位置，在将n设为了0以上的整数的情况下，从所述驱动放大器的输入端子到所述载波放大器的输出端子为止的电长度以成为(2n+1)×π的相位的方式设定。
- 高频放大器
- [发明专利]高频放大器-CN202080071306.X在审
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桥长达也;森山豊
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住友电气工业株式会社
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2020-12-25
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2022-05-27
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H03F1/02
- 一种高频放大器，包括：驱动放大器，将被输入的高频信号放大；以及多赫蒂放大器，包括载波放大器、峰值放大器，将所述驱动放大器所输出的信号进一步放大，所述高频放大器具有：第一多层基板；第二多层基板，与所述第一多层基板重合地层叠；以及基底构件，搭载所述第一多层基板和所述第二多层基板，所述驱动放大器搭载于所述第二多层基板，所述载波放大器、所述峰值放大器搭载于所述第一多层基板，所述驱动放大器、所述载波放大器以及所述峰值放大器分别具有形成了规定的电路的表面和位于所述表面的相反侧的背面，所述驱动放大器的所述表面与所述第一多层基板对置，所述驱动放大器的所述背面被配置为与所述第一多层基板分离，所述载波放大器和所述峰值放大器的背面均与所述基底构件相接，所述驱动放大器的所述背面连接于配置在所述第二多层基板表面的布线层，所述布线层连接于贯通所述第二多层基板和所述第一多层基板的第一过孔的一端，所述第一过孔的另一端连接于所述基底构件。
- 高频放大器
- [发明专利]高频放大器-CN202110387971.6在审
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桥长达也;森山丰
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住友电气工业株式会社
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2021-04-12
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2021-10-22
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H03F1/22
- 本发明提供一种高频放大器。高频放大器具备：非对称多赫蒂放大器，包括载波放大器和峰值放大器，并将输入的高频信号放大；驱动放大器，驱动非对称多赫蒂放大器；分支电路，将由驱动放大器放大而得到的高频信号分支到峰值放大器侧的输入路径和载波放大器侧的输入路径；相位调整电路，使峰值放大器的输入信号的相位和载波放大器的输入信号的相位中的至少一方延迟；第一基板；第二基板；及基底构件，搭载第一基板和第二基板。在将n设为0以上的整数的情况下，从驱动放大器的输出端子到峰值放大器的输入端子为止的电长度被设定为，在换算成输入的高频信号的相位时，处于(2n+1)×π‑π/4至(2n+1)×π+π/4的范围内。
- 高频放大器
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