[发明专利]切割鳍隔离区域及其形成方法有效
| 申请号： | 201910243925.1 | 申请日： | 2019-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN110783267B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 王祥保;殷立炜;徐绍华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 桑敏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及切割鳍隔离区域及其形成方法。一种方法包括形成彼此平行并且突出高于隔离区域的顶表面的第一半导体鳍和第二半导体鳍。隔离区域包括在第一半导体鳍和第二半导体鳍之间的部分。该方法还包括形成跨第一半导体鳍和第二半导体鳍上方的栅极堆叠，刻蚀栅极堆叠的一部分以形成开口，其中，隔离区域的该部分、第一半导体鳍和第二半导体鳍暴露于开口，刻蚀第一半导体鳍、第二半导体鳍和隔离区域的该部分，以将开口延伸到隔离区域下方的半导体衬底的主体部分中，以及用电介质材料填充开口以形成切割鳍隔离区域。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 隔离 区域 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体工艺的方法，包括：/n形成彼此平行并且突出高于隔离区域的顶表面的第一半导体鳍和第二半导体鳍，其中，所述隔离区域包括：/n第一部分，所述第一部分在所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍之间；/n形成跨所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍上方的栅极堆叠；/n刻蚀所述栅极堆叠的第一部分以形成开口，其中，所述隔离区域的所述第一部分、所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍暴露于所述开口；/n刻蚀所述第一半导体鳍、所述第二半导体鳍和所述隔离区域的所述第一部分，以将所述开口延伸到所述隔离区域下方的半导体衬底的主体部分中；以及/n用电介质材料填充所述开口以形成切割鳍隔离区域。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910243925.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
