[发明专利]切割鳍隔离区域及其形成方法

权利要求书

1.一种用于半导体工艺的方法，包括：

形成彼此平行并且突出高于隔离区域的顶表面的第一半导体鳍和第二半导体鳍，其中，所述隔离区域包括：

第一部分，所述第一部分在所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍之间；

形成跨所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍上方的栅极堆叠；

刻蚀所述栅极堆叠的第一部分以形成开口，其中，所述隔离区域的所述第一部分、所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍暴露于所述开口；

刻蚀所述第一半导体鳍、所述第二半导体鳍和所述隔离区域的所述第一部分，以将所述开口延伸到所述隔离区域下方的半导体衬底的主体部分中；以及

用电介质材料填充所述开口以形成切割鳍隔离区域，

其中，所述方法还包括：形成切割金属隔离区域以将所述栅极堆叠切割成所述第一部分和第二部分，其中，所述切割金属隔离区域的侧壁暴露于所述开口。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，刻蚀穿过所述隔离区域的所述第一部分以露出所述半导体衬底的主体部分。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，当刻蚀所述隔离区域的所述第一部分时，刻蚀所述隔离区域的第二部分，并且所述隔离区域的所述第二部分在包括所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍二者的组合区域的相反两侧上。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，刻蚀所述第一半导体鳍、所述第二半导体鳍和所述隔离区域的所述第一部分包括：

执行第一刻蚀步骤以凹陷所述隔离区域的所述第一部分；

执行第二刻蚀步骤以刻蚀所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍；并且

执行第三刻蚀步骤以完全移除所述隔离区域的所述第一部分。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述第一刻蚀步骤中，所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍未被刻蚀，并且在所述第二刻蚀步骤中，所述隔离区域的所述第一部分的剩余部分未被刻蚀。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，与所述切割金属隔离区域接触的所述切割鳍隔离区域的部分具有的底表面高于所述切割金属隔离区域的底表面。

7.一种用于半导体工艺的方法，包括：

形成彼此平行并且突出高于隔离区域的顶表面的第一半导体鳍和第二半导体鳍，其中，所述隔离区域延伸到半导体衬底中，并且所述隔离区域包括底表面；

形成跨所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍上方的栅极堆叠；以及

用附加隔离区域替换所述栅极堆叠的一部分，其中，所述附加隔离区域还包括穿过所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍的部分，并且所述附加隔离区域延伸低于所述隔离区域的底表面，

其中，所述方法还包括：形成第一切割金属隔离区域和第二切割金属隔离区域，所述第一切割金属隔离区域和所述第二切割金属隔离区域各自将所述栅极堆叠切割成两个部分，其中，所述附加隔离区域的第一侧壁和第二侧壁接触所述第一切割金属隔离区和所述第二切割金属隔离区的侧壁。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述附加隔离区域的整个底表面低于所述隔离区域的所述底表面。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述附加隔离区域包括：

刻蚀所述栅极堆叠的一部分以形成开口，其中，所述第一半导体鳍的一部分、所述第二半导体鳍的一部分、以及所述隔离区域的第一部分暴露于所述开口，并且所述隔离区域的所述第一部分在所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍之间；

刻蚀所述第一半导体鳍的所述部分、所述第二半导体鳍的所述部分以及所述隔离区域的所述第一部分，以将所述开口延伸到所述隔离区域下方的半导体衬底的主体部分中；并且

用电介质材料填充所述开口以形成所述附加隔离区域。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，当刻蚀所述隔离区域的所述第一部分时，还刻蚀所述隔离区域的第二部分，并且所述隔离区域的所述第二部分在包括所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍二者的组合区域的相对侧上。