[发明专利]三维存储器的制备方法、三维存储器、电子设备

摘要

本发明提供了三维存储器的制备方法，包括：提供半导体器件，半导体器件包括衬底、台阶结构、以及平坦层，台阶结构设于衬底上，台阶结构包括台阶部和存储部，平坦层覆盖衬底和台阶结构。在平坦层表面形成层间介质层。形成贯穿层间介质层及平坦层的多个接触孔和多个通孔，接触孔对应衬底和/或台阶部，通孔对应存储部。提供导电材料，在接触孔内形成接触件、且在通孔内形成连接件。本发明将接触件和连接件的制备工艺整合在一起，因此，本发明提供的制备方法极大地减少了制备接触件和连接件的时间与成本，也极大地减少了制备三维存储器的时间，降低了三维存储器的生产成本。本发明还提供了三维存储器及电子设备。

主权项

1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体器件，所述半导体器件包括衬底、台阶结构、以及平坦层，所述台阶结构设于所述衬底上，所述台阶结构包括台阶部和存储部，所述平坦层覆盖所述衬底和所述台阶结构；在所述平坦层表面形成层间介质层；形成贯穿所述层间介质层及所述平坦层的多个接触孔和多个通孔，所述接触孔对应所述衬底和/或所述台阶部，所述通孔对应所述存储部；以及提供导电材料，在所述接触孔内形成接触件、且在所述通孔内形成连接件。