[发明专利]VDMOSFET及其制备方法和半导体器件有效
| 申请号： | 201910232600.3 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN111755511B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 李俊俏;李永辉;周维 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供了VDMOSFET及其制备方法和半导体器件，该VDMOSFET包括第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型轻掺杂漂移层、第二导电类型轻掺杂阱区、第二导电类型重掺杂接触区、第一导电类型重掺杂源极区、第二导电类型轻掺杂区、第一导电类型轻掺杂区、栅氧化层、栅极、源极和漏极。该VDMOSFET中引入第二导电类型轻掺杂区和第一导电类型轻掺杂区，构成交替出现的PN柱(超级结结构)，可使得导通电阻大大下降而不会使击穿电压下降，同时可以有效保护栅氧化层不被击穿，提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | vdmosfet 及其 制备 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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