[发明专利]图像传感器的制作方法有效
申请号: | 201910231830.8 | 申请日: | 2019-03-26 |
公开(公告)号: | CN109950267B | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 韩斌;辛君;林宗贤;吴龙江 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种图像传感器的制作方法,其在主体晶圆与载体晶圆之间的缝隙处设置一阻挡层,则在湿法蚀刻阶段,所述阻挡层能够阻挡蚀刻液进入所述缝隙,避免蚀刻液对缝隙的蚀刻,从而避免了缝隙被进一步扩大,降低后续制程中的滑片风险以及金属污染的情况发生的几率,提高产品的良率。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:提供一主体晶圆及一载体晶圆,所述主体晶圆具有相对设置的一第一表面及一第二表面;对所述主体晶圆的第一表面的边缘进行切割,在所述主体晶圆的边缘形成一切割区域及一剥落区域,所述切割区域及所述剥落区域与所述主体晶圆的第一表面具有高度差;以所述主体晶圆的第一表面为键合面,将所述载体晶圆与所述主体晶圆键合,所述剥落区域与所述载体晶圆之间形成一缝隙;自所述主体晶圆的所述第二表面去除部分所述主体晶圆,以第一次减薄所述主体晶圆;形成一阻挡层,所述阻挡层覆盖所述主体晶圆的侧面,并延伸至所述载体晶圆,以遮挡所述缝隙;自所述主体晶圆的第二表面湿法蚀刻所述主体晶圆,以第二次减薄所述主体晶圆;在所述主体晶圆的所述第二表面制作至少一器件,形成所述图像传感器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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