[发明专利]一种改善焊接型碳化硅功率模块电热性能的封装结构在审
| 申请号： | 201910191808.5 | 申请日： | 2019-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN109817612A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 柯俊吉;蔡雨萌;孙鹏;赵志斌;崔翔 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/367;H01L23/495;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 程华 |
| 地址： | 100000 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善焊接型碳化硅功率模块电热性能的封装结构，该封装结构包括铜底板，DBC板，碳化硅芯片，驱动信号端子和功率回路端子；所述碳化硅芯片，以每两个为一个单元进行并联，长边沿着所述铜底板的长边平行排列放置，每两个单元共用一块DBC板，所述两个单元为串联结构，所述DBC板固定在所述铜底板上；所述驱动信号端子采用顶针方式直接引出；所述功率回路端子采用带有螺纹的铜块引出。本发明通过优化碳化硅芯片放置方式、DBC分布方式和端子的引出方式，减小了电流路径长度，增大了电流路径宽度，提高了DBC板的底板面积利用率，增大了散热面积，减小了散热热阻，从而提高封装的电热性能。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅芯片 封装结构 电热 铜底板 碳化硅功率模块 电流路径 功率回路 驱动信号 焊接型 长边 减小 底板 顶针 面积利用率 串联结构 单元共用 放置方式 分布方式 散热热阻 引出方式 散热 并联 螺纹 铜块 封装 优化 | ||
【主权项】：
1.一种改善焊接型碳化硅功率模块电热性能的封装结构，其特征在于，包括铜底板，DBC板和碳化硅芯片；所述碳化硅芯片，以每两个为一个单元进行并联，长边沿着所述铜底板的长边平行排列放置，每两个单元共用一块DBC板，所述两个单元为串联结构，所述DBC板固定在所述铜底板上。
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