[发明专利]化学气相沉积非晶硅镀膜均匀性的改善方法有效
| 申请号： | 201910190768.2 | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN109913858B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 王鹏翔 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/52 | 分类号： | C23C16/52;C23C16/24 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂;刘巍 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种化学气相沉积非晶硅镀膜均匀性的改善方法。该化学气相沉积非晶硅镀膜均匀性的改善方法包括：降低非晶硅镀膜结构中高速沉积非晶硅层所占厚度比例；以及选定化学气相沉积制备高速沉积非晶硅层的关键参数，使得所述高速沉积非晶硅层均匀性较佳；所述非晶硅镀膜结构中高速沉积非晶硅层所占厚度比例小于70％。应用本发明化学气相沉积非晶硅镀膜均匀性改善方法改善非晶硅镀膜均匀性后，机台间差异变小，且整体随时间及机台变化较小，镀膜稳定，对产品特性及品质稳定有较大帮助。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 沉积 非晶硅 镀膜 均匀 改善 方法 | ||
【主权项】：
1.一种化学气相沉积非晶硅镀膜均匀性的改善方法，其特征在于，包括：控制非晶硅镀膜结构中高速沉积非晶硅层所占厚度比例，使其小于70％；以及选定化学气相沉积制备高速沉积非晶硅层的功率、电极间距和/或者压力，使得所述高速沉积非晶硅层均匀性较佳。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
