[发明专利]MOS场效应晶体管及制备的方法、电子设备在审
| 申请号： | 201910181261.0 | 申请日： | 2019-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN111697071A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 刘东庆 | 申请（专利权）人： | 深圳比亚迪微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 518119 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了MOS场效应晶体管及制备的方法、电子设备。该方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上设置有碳化硅外延层，对半导体衬底的碳化硅外延层一侧进行掺杂，以形成阱区，并在所述阱区中形成源极区；在所述外延层远离所述半导体衬底一侧形成氧化层；在所述氧化层远离所述外延层的一侧键合Si晶圆片，并对所述Si晶圆片进行减薄剥离处理，以形成Si层；对所述Si层进行氧化处理，以形成栅极氧化层，所述栅极氧化层由所述氧化层以及经过所述氧化处理的Si层构成；在所述栅极氧化层远离所述外延层的一侧，形成栅极结构。该方法可在不影响器件的耐压性和可靠性的同时，提升栅极氧化层与SiC之间的界面质量，从而可以提高MOS场效应晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | mos 场效应 晶体管 制备 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
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