[发明专利]MOS场效应晶体管及制备的方法、电子设备

权利要求书

1.一种制备MOS场效应晶体管的方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，半导体衬底上设置有碳化硅外延层，对半导体衬底的碳化硅外延层一侧进行掺杂，以形成阱区，并在所述阱区中形成源极区；

在所述外延层远离所述半导体衬底一侧形成氧化层；

在所述氧化层远离所述外延层的一侧键合Si晶圆片，并对所述Si晶圆片进行减薄剥离处理，以形成Si层；

对所述Si层进行氧化处理，以形成栅极氧化层，所述栅极氧化层由所述氧化层以及经过所述氧化处理的Si层构成；

在所述栅极氧化层远离所述外延层的一侧，形成栅极结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述源极区之后，形成所述氧化层之前，进一步包括：

在所述外延层具有所述阱区一侧的表面形成碳保护膜层；

对形成有所述碳保护膜层的结构进行退火处理；

对形成有所述碳保护膜层一侧的表面进行抛光处理，以去除所述碳保护膜。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对形成有所述碳保护膜层的结构进行退火处理是在1600～1800摄氏度之间进行的。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化层是由二氧化硅形成的，所述氧化层的厚度为10～100埃米。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述氧化层进行退火处理是在具有NO或N₂O气体的气氛下进行的，所述退火处理的温度为900～1300摄氏度。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述Si层是通过以下步骤形成的：

在将所述Si晶圆片键合至所述氧化层一侧之前，预先对所述Si晶圆片进行H离子注入处理；

在将所述Si晶圆片键合至所述氧化层之后，对具有所述Si晶圆片的结构进行退火处理。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，对所述Si晶圆片进行H离子注入处理时，控制所述H离子的注入深度，以控制形成的所述Si层的厚度。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，剥离部分所述Si晶圆片之后，剩余的所述Si晶圆片的厚度为0.1～2微米。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述Si晶圆片进行减薄剥离处理之后，对剩余的所述Si晶圆片进行表面氧化处理，并利用刻蚀去除经过所述氧化处理的部分所述Si晶圆片，以控制形成的所述Si层的厚度。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述Si层进行氧化处理是在900-1200摄氏度之间进行的，以令所述Si层氧化生成二氧化硅。

11.根据权利要求1-10任一项所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底、所述外延层均具有第一掺杂类型，所述外延层的掺杂浓度低于所述半导体层的掺杂浓度；

所述阱区具有第二类型掺杂，所述源极区具有第一类型掺杂。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底的掺杂浓度为1E¹⁷～1E²⁰cm^-3，所述外延层的掺杂浓度为1E¹³～1E¹⁶cm^-3。

13.一种MOS场效应晶体管，其特征在于，所述MOS场效应晶体管是由权利要求1-12任一项所述的方法制备的。

14.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括MOS场效应晶体管，所述MOS场效应晶体管为权利要求1-12任一项所述的方法制备的。