[发明专利]InGaN基LED外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201910177234.6 | 申请日： | 2019-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN111668354B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 理查德·内策尔;周国富 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 王晖;李丙林 |
| 地址： | 510006 广东省广州市番禺区外*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种InGaN基LED外延片及其制备方法，其中InGaN基LED外延片包括：衬底；InGaN层片，形成于所述衬底的一侧表面，其In含量在40％至90％之间，以确保所述LED外延片能够发射长波长光或近红外射线；p型金属氧化物层片，形成于所述InGaN层片的背朝所述衬底的一侧表面上，以用作对所述InGaN层片的空穴注入层。由于p型金属氧化物(特别是Cu |
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| 搜索关键词： | ingan led 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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