[发明专利]光传感器及其制作方法和显示装置有效

专利信息
申请号: 201910173318.2 申请日: 2019-03-07
公开(公告)号: CN109860328B 公开(公告)日: 2020-11-24
发明(设计)人: 樊伟锋;张晋春;谢项楠;卢佳惠 申请(专利权)人: 昆山龙腾光电股份有限公司
主分类号: H01L31/113 分类号: H01L31/113;H01L31/0232;H01L31/20
代理公司: 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 代理人: 蔡光仟
地址: 215301 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种光传感器及其制作方法和显示装置,其中光传感器包括:衬底;栅电极,设置在衬底上;第一绝缘层,覆盖在栅电极上;半导体层,设置在第一绝缘层上;入光域扩张层,设置在第一绝缘层和所半导体层上,部分半导体层从入光域扩张层中露出;相互间隔的源电极和漏电极,相对设置在半导体层的两侧并层叠在入光域扩张层上,部分入光域扩张层从源电极和漏电极之间露出;第二绝缘层,覆盖在源电极和漏电极上,第二绝缘层还覆盖位于源电极与漏电极之间露出的半导体层和入光域扩张层上。
搜索关键词: 传感器 及其 制作方法 显示装置
【主权项】:
1.一种光传感器,其特征在于,包括:衬底;栅电极,设置在所述衬底上;第一绝缘层,覆盖在所述栅电极上;半导体层,设置在所述第一绝缘层上;入光域扩张层,设置在所述第一绝缘层和所述半导体层上,部分所述半导体层从所述入光域扩张层中露出;相互间隔的源电极和漏电极,相对设置在所述半导体层的两侧并层叠在所述入光域扩张层上,部分所述入光域扩张层从所述源电极和所述漏电极之间露出;第二绝缘层,覆盖在所述源电极和所述漏电极上,所述第二绝缘层还覆盖位于所述源电极与所述漏电极之间露出的所述半导体层和所述入光域扩张层上。
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