[发明专利]光传感器及其制作方法和显示装置有效
申请号: | 201910173318.2 | 申请日: | 2019-03-07 |
公开(公告)号: | CN109860328B | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 樊伟锋;张晋春;谢项楠;卢佳惠 | 申请(专利权)人: | 昆山龙腾光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/113 | 分类号: | H01L31/113;H01L31/0232;H01L31/20 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 蔡光仟 |
地址: | 215301 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种光传感器及其制作方法和显示装置,其中光传感器包括:衬底;栅电极,设置在衬底上;第一绝缘层,覆盖在栅电极上;半导体层,设置在第一绝缘层上;入光域扩张层,设置在第一绝缘层和所半导体层上,部分半导体层从入光域扩张层中露出;相互间隔的源电极和漏电极,相对设置在半导体层的两侧并层叠在入光域扩张层上,部分入光域扩张层从源电极和漏电极之间露出;第二绝缘层,覆盖在源电极和漏电极上,第二绝缘层还覆盖位于源电极与漏电极之间露出的半导体层和入光域扩张层上。 | ||
搜索关键词: | 传感器 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种光传感器,其特征在于,包括:衬底;栅电极,设置在所述衬底上;第一绝缘层,覆盖在所述栅电极上;半导体层,设置在所述第一绝缘层上;入光域扩张层,设置在所述第一绝缘层和所述半导体层上,部分所述半导体层从所述入光域扩张层中露出;相互间隔的源电极和漏电极,相对设置在所述半导体层的两侧并层叠在所述入光域扩张层上,部分所述入光域扩张层从所述源电极和所述漏电极之间露出;第二绝缘层,覆盖在所述源电极和所述漏电极上,所述第二绝缘层还覆盖位于所述源电极与所述漏电极之间露出的所述半导体层和所述入光域扩张层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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