[发明专利]一种MOS衬底的制作方法及MOS衬底结构

摘要

本发明提供一种MOS衬底的制作方法及MOS衬底结构。本发明的MOS衬底的制作方法，在制作非晶锗层的过程中，采用多步成膜的方式，并在每步成膜后使用含磷化合物气体通过CVD表面处理对非晶锗薄膜进行磷离子注入，最终得到磷离子掺杂的非晶锗层，形成沟道区后无需单独对沟道区进行掺杂，有效简化了制程，降低了生产成本。本发明的MOS衬底结构，沟道区在非晶锗成膜时即完成磷离子注入，无需单独进行沟道掺杂制程，制作简单，生产成本低。

主权项

1.一种MOS衬底的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供衬底(1)，在所述衬底(1)上沉积过渡层(2)；步骤2、在所述过渡层(2)上沉积一非晶锗薄膜(301)，并在所述非晶锗薄膜(301)表面通入含磷化合物气体，采用化学气相沉积的方法对所述非晶锗薄膜(301)进行表面处理，使得所述非晶锗薄膜(301)的表面掺杂磷离子；步骤3、重复步骤2的操作数次，得到数层表面掺杂磷离子的非晶锗薄膜(301)，所述数层表面掺杂磷离子的非晶锗薄膜(301)叠加构成非晶锗层(3)；步骤4、对所述非晶锗层(3)进行退火处理，去除非晶锗层(3)中掺杂的氢离子，同时使得掺杂到每层非晶锗薄膜(301)表面的磷离子均匀扩散到整个非晶锗层(3)中，实现对整个非晶锗层(3)的磷离子掺杂；步骤5、使用两道光罩对所述磷离子掺杂后的非晶锗层(3)进行两次离子注入，得到位于所述非晶锗层(3)两侧的两个N型重掺杂区(31)、位于所述非晶锗层(3)中部的磷离子掺杂沟道区(33)、及位于所述两个N型重掺杂区(31)与磷离子掺杂沟道区(33)之间的两个N型轻掺杂区(32)；步骤6、在所述非晶锗层(3)上依次形成栅极绝缘层(5)、栅极(6)、层间绝缘层(7)、及源、漏极(81、82)。