[发明专利]一种掩膜版、显示基板及其制备方法和显示装置在审

申请号：	201910163878.X	申请日：	2019-03-05
公开（公告）号：	CN109856908A	公开（公告）日：	2019-06-07
发明（设计）人：	谌伟;黄中浩;田茂坤;王恺;董晓楠	申请（专利权）人：	京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
主分类号：	G03F1/32	分类号：	G03F1/32;H01L21/027
代理公司：	北京银龙知识产权代理有限公司 11243	代理人：	许静;黄灿
地址：	100015 ***	国省代码：	北京;11
权利要求书：	暂无信息	说明书：	暂无信息
摘要：	本发明提供一种掩膜版、显示基板及其制备方法和显示装置，掩膜版包括不透光区域，不透光区域对应显示基板的沟道区域。本发明提供的掩膜版，存在不透光区域，且不透光区域对应显示基板的沟道区域，在制作显示基板的有源层图形时，沟道区域不会被曝光并形成保护层，这样，在进一步制作源漏金属层时，一部分源漏金属层会沉积在未曝光的保护层上，这部分源漏金属层能够随保护层去除，并使该区域形成显示基板的沟道区域，降低了损坏显示基板的有源层图形的可能性。
搜索关键词：	显示基板不透光区域沟道区域掩膜版保护层源漏金属层显示装置源层制备漏金属层区域形成曝光制作源沉积去除制作
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【主权项】：

1.一种掩膜版，用于制作显示基板，其特征在于，所述掩膜版包括不透光区域，所述不透光区域对应所述显示基板的沟道区域。

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一种掩膜版、显示基板及其制备方法和显示装置-201910163878.X
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申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： G03F1/32
摘要：本发明提供一种掩膜版、显示基板及其制备方法和显示装置，掩膜版包括不透光区域，不透光区域对应显示基板的沟道区域。本发明提供的掩膜版，存在不透光区域，且不透光区域对应显示基板的沟道区域，在制作显示基板的有源层图形时，沟道区域不会被曝光并形成保护层，这样，在进一步制作源漏金属层时，一部分源漏金属层会沉积在未曝光的保护层上，这部分源漏金属层能够随保护层去除，并使该区域形成显示基板的沟道区域，降低了损坏显示基板的有源层图形的可能性。

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摘要：本发明提供一种TFT基板结构的制作方法。本发明的TFT基板结构的制作方法，利用半色调光罩通过一次曝光在平坦层上形成过孔与沟槽，通过半色调光罩上的半透光性的图案实现半曝光，在扇出区的平坦层上形成深度较浅的沟槽，从而使得扇出区的平坦层上的沟槽的坡度变缓，避免了在进行光阻曝光显影时沟槽角落处的光阻曝光不彻底而导致透明导电层在沟槽角落处残留的现象，进而避免了扇出区的金属线路之间出现短路的现象，同时不影响有效显示区的开口率，大大提高了液晶显示面板的显示品质；并通过加宽扇出区的平坦层上的沟槽的宽度，避免了由于沟槽坡度变缓、深度减少而带来的封框胶粘附力变差的现象，进而保证了液晶显示面板内的封框胶的粘附性不受影响。

掩模坯及其制造方法、半色调掩模及其制造方法-201811099364.4
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摘要：本发明提供掩模坯及其制造方法、半色调掩模及其制造方法。本发明的掩模坯具有成为半色调掩模的层，所述掩模坯具有：耐化学品层，提高了耐化学品性；和均匀透射率层，从i线到g线的波段中半透射率的变动幅度被控制在规定范围内，所述耐化学品层及所述均匀透射率层中的含氮率不同。

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摘要：本发明体积一种光掩模坯料和制备光掩模的方法。具体提供一种包含透明衬底和含铬膜的光掩模坯料。该含铬膜包括由含氧或者氧和氮的含碳的铬化合物组成的层。该层的碳/铬原子比是0.3以上，氮/铬原子比是0.1以下，铬含量是50at％以下且碳/氧原子比是0.8以上，或铬含量是60at％以下且碳/氧原子比是1以上。通过干法刻蚀含铬膜将光掩模坯料加工成光掩模。

半色调掩膜版湿法灰化制作方法-201811534780.2
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申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： G03F1/32
摘要：本发明实施例提供一种半色调掩膜版湿法灰化制作方法，包括：提供母板，母板包括基板及自基板一侧表面依次形成的半透层、透光阻隔层、遮光层和光阻层；在光阻层形成完全感光区、不完全感光区及非感光区；去除已感光的光阻材料形成完全显影区和不完全显影区；依次蚀除完全显影区内侧的遮光层、透光阻隔层和半透层形成透光图形区；采用灰化液与光阻层反应直至不完全显影区内侧的剩余光阻层完全去除形成灰化区；蚀除灰化区内侧的遮光层形成半透光图形区；去除光阻层。本发明实施例在显影、蚀刻形成透光图形区和不完全显影区后采用灰化液与光阻层反应形成灰化区，再采用蚀刻液蚀除灰化区内侧的遮光层形成半透光图形区，不需使用灰化炉，制作成本低。

光掩模坯料和制造方法、光掩模、光图案曝光方法和过渡金属/硅基材料膜的设计方法-201510140000.6
发明人：吉川博树;稻月判臣;小板桥龙二;金子英雄;原口崇;小岛洋介;广濑智一 -专利权人：信越化学工业株式会社;凸版印刷株式会社
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： G03F1/32
摘要：本发明涉及一种光掩模坯料和制造方法、光掩模、光图案曝光方法和过渡金属/硅基材料膜的设计方法。本发明特别涉及一种光掩模坯料，其具有过渡金属/硅基材料的膜，该过渡金属/硅基材料包含过渡金属、硅、氧和氮，具有至少3原子％的氧含量，并满足式：4×C_Si/100‑6×C_M/100>1，其中C_Si是以原子％计的硅含量和C_M是以原子％计的过渡金属含量。

灰阶掩膜板-201821645011.5
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申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： G03F1/32
摘要：本申请提供的灰阶掩膜板，包括透明区、非透明区及包括呈多行多列排列的灰阶图案的灰阶区；任意相邻两行的灰阶图案中，其中一行灰阶图案的遮光图案与另一行灰阶图案的透光图案至少部分边缘重合；任意相邻两列的灰阶图案中，其中一列灰阶图案的遮光图案与另一列灰阶图案的透光图案至少部分边缘重合；透光图案的几何中心点到相邻的遮光图案边缘的距离，与所述遮光图案的几何中心点到相邻的透光图案边缘的距离相等。经过上述灰阶掩膜板后的光能均匀作用在灰阶区对应的半曝光区的光刻胶上；控制光刻过程中半曝光区的光刻胶在曝光显影后的显影高度。采用上述掩膜板可以使曝光更加简单，制程成本大幅度降低。

半色调相移光掩模坯料及其制备方法-201510484664.4
发明人：高坂卓郎;稻月判臣;金子英雄;樱田丰久 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： G03F1/32
摘要：半色调相移光掩模坯料，包含透明基材和由硅、氮和任选的氧组成的半色调相移膜，并提供相对于波长200nm以下的光150°‑200°的相移。该相移膜包括至少一个满足下式的层：2×O/Si+3×N/Si≥3.5，其中Si为硅含量(原子％)，N为氮含量(原子％)，且O为氧含量(原子％)。该相移膜表现出令人满意的透射率的面内均匀性。

半色调掩膜版制作方法-201811452002.9
发明人：杜武兵;林伟;吕振群 -专利权人：深圳市路维光电股份有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： G03F1/32
摘要：本发明实施例提供一种半色调掩膜版制作方法，包括以下步骤：提供母板，所述母板包括基板、半透层、透光阻隔层、遮光层和光阻层；在光阻层形成完全感光区、部分感光区和非感光区；去除已感光的光阻材料形成完全显影区和部分显影区；依次蚀除完全显影区内侧的遮光层、透光阻隔层和半透层形成透光图形区；采用消化液与部分显影区内侧的剩余光阻层反应完全形成二次完全感光区；去除二次完全感光区内的反应产物形成二次完全显影区；蚀除二次完全显影区内侧的遮光层形成半透光图形区；去除残留的光阻层。本发明实施例用消化液与部分显影区内侧的剩余光阻层反应形成二次完全感光区，即可再通过显影、蚀刻形成半透光图形区，无需灰化炉，成本低。

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申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： G03F1/32
摘要：本发明提供一种改善敏感光刻胶形貌的复合型掩模版及其制作方法，属于光刻掩膜版的制作及应用技术领域，包括：提供一预处理结构，预处理结构包括石英层、MoSi层、Gr层；于预处理结构上涂覆光刻胶层，根据预设曝光形状对光刻胶层进行曝光形成窗口；以光刻胶层为掩膜对Gr层和MoSi层进行刻蚀，以得到预处理复合型掩膜版；去除预处理复合型掩膜版中的光刻胶层，以得到复合型掩膜版。本发明的有益效果：通过设计复合型掩模版，既保留了双极型掩模版暗区遮光好的优势，又采用强度衰减相掩模版来形成更陡峭的光强变化，优势互补，通过使用复合型掩膜版能够成功解决敏感光刻胶形貌问题，得到更直的光阻形貌，改善了对光敏感的光阻形貌。

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申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： G03F1/32
摘要：本申请提供的灰阶掩膜板，包括透明区、非透明区及包括呈多行多列排列的灰阶图案的灰阶区；任意相邻两行的灰阶图案中，其中一行灰阶图案的遮光图案与另一行灰阶图案的透光图案至少部分边缘重合；任意相邻两列的灰阶图案中，其中一列灰阶图案的遮光图案与另一列灰阶图案的透光图案至少部分边缘重合；透光图案的几何中心点到相邻的遮光图案边缘的距离，与所述遮光图案的几何中心点到相邻的透光图案边缘的距离相等。经过上述灰阶掩膜板后的光能均匀作用在灰阶区对应的半曝光区的光刻胶上；控制光刻过程中半曝光区的光刻胶在曝光显影后的显影高度。采用上述掩膜板可以使曝光更加简单，制程成本大幅度降低。

一种掩膜板及阵列基板的制造方法-201510064583.9
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摘要：本发明公开了一种掩膜板及阵列基板的制造方法，属于显示技术领域。掩膜板包括：对应阵列基板行驱动电路GOA区域的第一区域和对应阵列基板显示区域的第二区域；第一区域具有至少一个第一开口，至少一个第一开口用于在阵列基板GOA区域形成栅绝缘层GI过孔，GI过孔用于暴露出栅线；第二区域具有至少一个第二开口，至少一个第二开口为半色调掩膜开口，至少一个第二开口用于在阵列基板显示区域形成VIA过孔，VIA过孔用于暴露出源漏金属层的图案。本发明通过将形成GOA区域GI过孔的第一开口和形成显示区域VIA过孔的第二开口制作在同一个掩膜板上，两种过孔采用同一块掩膜板形成，降低了产品的制造成本。

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摘要：本申请涉及一种曝光光罩及其制作方法、光阻材料图形化方法及蚀刻方法，该曝光光罩包括光罩基板；设置于光罩基板的图形层；以及，设置于光罩基板的半透光层，半透光层位于图形层的边缘位置。通过在图形层边缘位置添加半透光层，即相当于在全透光层与不透光层之间增加半透光层，该半透光层具有一定的光透过率，在曝光过程中位于该半透光层下面的光阻材料受到一定强度的光照，使得该部分光阻材料在显影过程中被部分去除，从而在完整光阻材料部分以及光阻材料完全去除的部分之间形成一个光阻材料过渡结构，该光阻材料过渡结构的厚度小于完整光阻材料部分的厚度，从而达到减小坡度角的目的。

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摘要：本发明涉及微纳光学领域，具体为一种灰度掩模图形的分层提取方法；包括如下步骤：步骤一：读取灰度掩模图片的灰度阶数并二进制化；步骤二：根据不同灰度阶数提取不同灰度阶数的二进文件；步骤三：定义每单元像素的大小1μm×1μm；步骤四：将不同灰度的二进制文件转成GDS图片格式，定义左下角像素在GDS格式中坐标为(1,1)。

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摘要：本发明公开了一种光屏障基板的制备方法，包括如下步骤通过第一次构图工艺，在衬底上形成金属电极图形；在衬底及金属电极图形上方形成绝缘层薄膜；使用半色调掩膜技术，通过第二次构图工艺，在绝缘层上形成金属电极过孔，以及在绝缘层上形成金属电极与外部IC连线所需的沟道图形；在形成所述金属电极过孔和沟道图形的衬底上，形成透明电极层图形。本发明借助于半色调掩膜版和灰化工艺，使得绝缘层和透明电极层的形成由现有技术中的两道掩膜工艺减少为一道掩膜工艺，工艺得到了简化，制备效率得到提高，并且减少了一块掩膜版的使用，降低了光屏障基板的制备成本。

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发明人：施维 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2015-10-16 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： G03F1/32
摘要：本发明提供一种衰减相移掩膜及其制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括提供透光基板，在所述透光基板上形成图形化的相移层，以及位于边缘区域的相移层上的遮光层；在所述遮光层表面形成不导电的氧化层。该衰减相移掩膜及其制造方法，通过将衰减相移掩膜表面导电的遮光层氧化成为不导电的氧化物，从而可以以避免衰减相移掩膜在特定的清洗机台中由于静电吸附导致的小颗粒黏附的缺陷问题，进而可以允许衰减相移掩膜在此清洗机台上继续清洗，提高机台利用率，而不必更换机台以及增加工艺复杂性和成本。

电连接结构、阵列基板及绝缘覆盖层的制作方法-201510284056.9
发明人：廖金阅;刘家麟;戴延樘;吕宏哲 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： G03F1/32
摘要：一种电连接结构的制作方法，包括：提供相互电性连接的连接垫与连接线，该连接垫与该连接线均为金属层；形成覆盖所述连接线的绝缘覆盖层；以及通过一掩膜对所述绝缘覆盖层进行曝光，其中，所述掩膜包括一第一半透光区与一第二半透光区，所述第一半透光区对应所述距离该绝缘覆盖层较近的金属层的位置，所述第二半透光区对应其他区域设置，所述第一半透光区的透光率低于所述第二半透光区的透光率。本发明还提供一种阵列基板的制作方法以及一种绝缘覆盖层的制作方法。本发明所由于在曝光时使用不同透光率的掩膜遮蔽所述绝缘覆盖层，能够有效的降低在曝光时绝缘覆盖层与金属层对应位置的光线强度，使绝缘覆盖层不易被光线破坏，得到平坦的绝缘覆盖层。

掩膜版、制造透镜的方法、透镜及显示装置-201610853390.6
发明人：马新利;高健;杨亚锋;王灿;王维;谭纪风;张粲 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： G03F1/32
摘要：本发明公开了一种掩膜版、制造透镜的方法、透镜及显示装置，属于显示技术领域。该掩膜版用于制造透镜，该掩膜版的包括两个透光区域，其中第二区域的透过率非均匀分布，且与待形成透镜的厚度分布相关。在制造透镜的过程中，对经过该掩膜版曝光后的光刻胶进行显影后，残留的光刻胶即可直接形成透镜。因此采用该掩膜版制造透镜时无需再对光刻胶进行加热和熔融成型，解决了相关技术中透镜制造方法复杂的问题，降低了透镜的制造成本。本发明用于制造透镜。

一种掩模板和曝光系统-201520719092.9
发明人：罗丽平;刘会双;胡海琛;孙增标;王涛;金基用 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2015-09-16 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： G03F1/32
摘要：本实用新型提供一种掩模板和曝光系统。该掩模板包括第一区和第二区，第一区和第二区内均设置有多个图形化掩模，且第一区内多个图形化掩模的分布密度小于第二区内多个图形化掩模的分布密度；每个图形化掩模包括第一图形、第二图形和两图形之间的狭缝，第一区内的狭缝宽度大于第二区内的狭缝宽度。该掩模板能使透过第二区内狭缝的曝光光线的强度相对于透过第一区内狭缝的曝光光线的强度减小，从而使显示区和非显示区内的晶体管在经过源漏极曝光和显影后，保留在有源区膜层上的光刻胶的厚度趋于一致，进而确保通过刻蚀工艺后非显示区晶体管的有源区不会断开，最终确保非显示区的晶体管能够正常工作。

掩膜版及薄膜晶体管的制造方法-201510412970.7
发明人：莫超德 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： G03F1/32
摘要：本发明公开了一种掩膜版及薄膜晶体管的制造方法，属于显示技术领域，解决了沟道宽度较小时良品率降低的技术问题。该掩膜版包括不透光区域、部分透光区域和全透光区域；其中，所述部分透光区域中包括薄膜晶体管的沟道图形；所述沟道图形呈马蹄形，包括弯折部和两个直线延伸部，所述弯折部的宽度大于所述直线延伸部的宽度。

专利分类

G 物理

G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备

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[发明专利]一种掩膜版、显示基板及其制备方法和显示装置在审

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