[发明专利]在任意基底上制备光电器件的方法及光电器件

摘要

本发明公开了一种在任意基底上制备光电器件的方法及光电器件。所述在任意基底上制备光电器件的方法利用喷涂法不受基底的大小、形状限制，能大规模的制备钙钛矿组件，利用不同大小、不同形状的掩膜板，在不同地方，如建筑物、车辆等地方制备钙钛矿电池组件。根据基底的形状，如平面、波浪、不规则、弯折等，电池组件可以采用串联、并联和串并联结合方式制备。充分利用有限空间最大力度的使用清洁能源。本发明提供的在任意基底上制备光电器件的方法，采用喷涂法制作形成钙钛矿电池组件，喷涂法不受基底的大小、形状限制，能大规模的制备钙钛矿组件，扩大应用范围，促进系统集成。

主权项

1.一种在任意基底上制备光电器件的方法，其特征在于包括：利用第一掩膜板，并至少采用溶液法在任意基底上形成透明导电层；利用第一掩膜板，并至少采用喷涂方式在透明导电层上喷涂形成第一传输层；利用第二掩膜板，并至少采用喷涂方式在第一传输层上形成光电转换层；利用第三掩膜板，并至少采用喷涂方式在光电转换层上形成第二传输层；利用第四掩膜板，并至少采用溶液法在第二传输层上形成电极层。