[发明专利]在任意基底上制备光电器件的方法及光电器件

说明书

本发明公开了一种在任意基底上制备光电器件的方法及光电器件。所述在任意基底上制备光电器件的方法利用喷涂法不受基底的大小、形状限制，能大规模的制备钙钛矿组件，利用不同大小、不同形状的掩膜板，在不同地方，如建筑物、车辆等地方制备钙钛矿电池组件。根据基底的形状，如平面、波浪、不规则、弯折等，电池组件可以采用串联、并联和串并联结合方式制备。充分利用有限空间最大力度的使用清洁能源。本发明提供的在任意基底上制备光电器件的方法，采用喷涂法制作形成钙钛矿电池组件，喷涂法不受基底的大小、形状限制，能大规模的制备钙钛矿组件，扩大应用范围，促进系统集成。

技术领域

本发明特别涉及一种在任意基底上制备光电器件的方法及光电器件，属于太阳能电池技术领域。

背景技术

能源作为人类社会赖以生存和发展的重要物质基础，它的改进和更替极大推进了人类社会的发展。太阳能作为一种可再生的清洁能源，不仅开发利用简单，而且使用不受地理环境的限制等优点，近年来，利用太阳能电池将太阳能转化为人类所需要的电能受到越来越多的关注。有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池在众多新型太阳能电池中备受瞩目，被《Science》评选为2013年十大科学突破之一。

目前，钙钛矿电池的光电转化效率已经超过23％，然而采用的制备工艺主要是溶液旋涂、真空蒸镀，电池面积和衬底受到限制，材料浪费率高，适用范围窄，且无法应用于大面积器件的制备。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种在任意基底上制备光电器件的方法及光电器件，以克服现有技术中的不足。

为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：

本发明实施例提供了一种在任意基底上制备光电器件的方法，其包括：

利用第一掩膜板，并至少采用溶液法在任意基底上沉积形成透明导电层；

利用第一掩膜板，并至少采用喷涂方式在透明导电层上喷涂形成第一传输层；

利用第二掩膜板，并至少采用喷涂方式在第一传输层上形成光电转换层；

利用第三掩膜板，并至少采用喷涂方式在光电转换层上形成第二传输层；

利用第四掩膜板，并至少采用溶液法在第二传输层上沉积形成电极层。

在一些较为具体的实施方案中，所述的方法包括：在第一传输层上形成两个以上间隔排列分布的光电转换层。

进一步的，所述的方法包括：至少采用喷涂的方式在任意两个光电转换层之间形成绝缘胶层。

进一步的，所述的方法还包括：至少采用喷涂的方式在透明导电层与电极层的两端部之间形成绝缘胶层。

在一些较为具体的实施方案中，所述的方法包括：

1)利用第一掩膜板，并至少采用溶液法在任意基底上沉积形成透明导电层；

2)利用第一掩膜板，并至少采用喷涂方式在透明导电层上错位喷涂形成第一传输层，并使第一传输层的第四端部覆盖透明导电层的第二端部；

3)利用第二掩膜板，并至少采用喷涂方式在第一传输层上形成光电转换层，并使所述钙钛矿层的第六端部与第一传输层的第四端部齐平；

4)利用第三掩膜板，并至少采用喷涂方式在光电转换层上形成第二传输层，并使所述第二传输层的第七端部与光电转换层的第五端部齐平，并使所述第二传输层的第八端部覆盖光电转换层的第六端部、第一传输层的第四端部，

5)利用第四掩膜板，并至少采用溶液法在第二传输层上沉积形成电极层，并使电极层的第十端部覆盖第二传输层第八端部的部分区域；其中所述透明导电层的第二端部、第一传输层的第四端部、钙钛矿层的第六端部、第二传输层的第八端部和电极层的第十端部位于同一端。