[发明专利]在任意基底上制备光电器件的方法及光电器件在审

专利信息
申请号: 201910153809.0 申请日: 2019-03-01
公开(公告)号: CN109742247A 公开(公告)日: 2019-05-10
发明(设计)人: 葛文奇;田清勇;蔡龙华;范斌;刘秋菊;陈伟中 申请(专利权)人: 苏州协鑫纳米科技有限公司
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48;H01L51/42
代理公司: 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人: 赵世发;王锋
地址: 215000 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 基底 光电器件 制备 制备钙钛矿 电池组件 形状限制 喷涂法 串并联结合 促进系统 喷涂法制 清洁能源 不规则 钙钛矿 掩膜板 并联 弯折 波浪 串联 建筑物 应用
【权利要求书】:

1.一种在任意基底上制备光电器件的方法,其特征在于包括:

利用第一掩膜板,并至少采用溶液法在任意基底上形成透明导电层;

利用第一掩膜板,并至少采用喷涂方式在透明导电层上喷涂形成第一传输层;

利用第二掩膜板,并至少采用喷涂方式在第一传输层上形成光电转换层;

利用第三掩膜板,并至少采用喷涂方式在光电转换层上形成第二传输层;

利用第四掩膜板,并至少采用溶液法在第二传输层上形成电极层。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于包括:在第一传输层上形成两个以上间隔排列分布的光电转换层;和/或,所述的方法还包括:至少采用喷涂的方式在任意两个光电转换层之间形成绝缘胶层;和/或,所述的方法还包括:至少采用喷涂的方式在透明导电层与电极层的两端部之间形成绝缘胶层。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于包括:

1)利用第一掩膜板,并至少采用溶液法在任意基底上沉积形成透明导电层;

2)利用第一掩膜板,并至少采用喷涂方式在透明导电层上错位喷涂形成第一传输层,并使第一传输层的第四端部覆盖透明导电层的第二端部;

3)利用第二掩膜板,并至少采用喷涂方式在第一传输层上形成光电转换层,并使所述钙钛矿层的第六端部与第一传输层的第四端部齐平;

4)利用第三掩膜板,并至少采用喷涂方式在光电转换层上形成第二传输层,并使所述第二传输层的第七端部与光电转换层的第五端部齐平,并使所述第二传输层的第八端部覆盖光电转换层的第六端部、第一传输层的第四端部,

5)利用第四掩膜板,并至少采用溶液法在第二传输层上沉积形成电极层,并使电极层的第十端部覆盖第二传输层第八端部的部分区域;其中所述透明导电层的第二端部、第一传输层的第四端部、钙钛矿层的第六端部、第二传输层的第八端部和电极层的第十端部位于同一端。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于包括:将第一掩膜板在所述透明导电层的上错位0.1-10cm后喷涂形成第一传输层;和/或,所述第二掩膜板的宽度小于第一掩膜板的宽度;和/或,所述第二掩膜板的宽度与第一掩膜板的宽度差为0.1-10cm;和/或,所述第三掩膜板的宽度大于第二掩膜板的宽度;和/或,所述第三掩膜板与第二掩膜板的宽度差为0.1-10cm。

5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于包括:制作形成两个以上的光电器件,并使任一光电器件的电极层的第十端部与相邻光电器件的透明导电层的第一端部连接。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于包括:先对任意基底进行清洗或者在任意基底表面形成高分子材料涂层,之后再制作形成透明导电层;和/或,所述高分子材料涂层的材质包括环氧树脂、丙烯酸酯中的任意一种;和/或,所述的方法还包括:在电极层上制作紫外光固化胶封装层;和/或,所述光电器件为钙钛矿电池,所述光电转换层为钙钛矿层。

7.一种并联结构的光电器件,其特征在于包括:依次叠层设置的透明导电层、第一传输层、第二传输层和电极层,在所述第一传输层和第二传输层之间间隔排列设置有两个以上光电转换层;和/或,所述透明导电层与电极层之间无直接接触;和/或,在相邻两个钙钛矿层之间、透明导电层与电极层的两端部之间还设置有绝缘胶层;和/或,所述光电器件为钙钛矿电池,所述光电转换层为钙钛矿层。

8.一种串联结构的光电器件,其特征在于:包括至少两个以串联形式连接的钙钛矿电池单元,每个所述钙钛矿电池单元包括依次叠层设置的透明导电层、第一传输层、光电转换层、第二传输层和电极层,所述透明导电层的第一端部延长伸出,第二端部被所述第一传输层的第四端部覆盖,所述第一传输层的第四端部以及光电转换层的第六端部被所述第二传输层的第八端部覆盖,所述第二传输层的第八端部的部分区域被所述电极层的第十端部覆盖;以及,串联连接的两个钙钛矿电池单元中一者的电极层的第十端部还与另一者的透明导电层连接;其中所述透明导电层的第二端部、第一传输层的第四端部、光电转换层的第六端部、第二传输层的第八端部和电极层的第十端部位于同一端。

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