[发明专利]氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201910152555.0 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN109980056B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 刘旺平;乔楠;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/04;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、以及依次生长在衬底上的低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、P型层和P型接触层，应力释放层包括多个交替生长的第一超晶格结构和第二超晶格结构，第一超晶格结构为低温InGaN/GaN超晶格结构，第二超晶格结构为高温InGaN/GaN超晶格结构。本发明提供的发光二极管外延片可以优化V型坑的开口大小，提高LED的内量子发光效率，同时提高外延层的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、以及依次生长在所述衬底上的低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、P型层和P型接触层，其特征在于，所述应力释放层包括多个交替生长的第一超晶格结构和第二超晶格结构，所述第一超晶格结构为低温InGaN/GaN超晶格结构，所述第二超晶格结构为高温InGaN/GaN超晶格结构。
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