[发明专利]金属氧化物去除方法及装置在审
| 申请号： | 201910147372.X | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN111627828A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 李晓伟 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 刘昕;南霆 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种金属氧化物去除方法及装置，该金属氧化物去除方法包括：对放置有基底的处理腔室进行预设次数的抽真空处理；在抽真空处理后的处理腔室中通入还原性酸蒸汽；将通入还原性酸蒸汽的处理腔室加热至预设温度，以使所述还原性酸蒸汽分解后形成的还原性气体与所述基底表面的金属氧化物发生化学反应，以去除所述基底表面的金属氧化物。通过本发明，可以解决现有技术存在的现有去除氧化铜的效率低、成本较高和对基底损伤较大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 去除 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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