[发明专利]金属氧化物去除方法及装置在审
| 申请号： | 201910147372.X | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN111627828A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 李晓伟 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 刘昕;南霆 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 去除 方法 装置 | ||
1.一种金属氧化物去除方法，其特征在于，包括：
对放置有基底的处理腔室进行预设次数的抽真空处理；
在抽真空处理后的处理腔室中通入还原性酸蒸汽；
将通入还原性酸蒸汽的处理腔室加热至预设温度，以使所述还原性酸蒸汽分解后形成的还原性气体与基底表面的金属氧化物发生化学反应，以去除所述基底表面的金属氧化物。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述还原性酸蒸汽为甲酸蒸汽；和/或
所述还原性气体为氢气。
3.根据权利要求1或2所述的金属氧化物去除方法，其特征在于，所述预设温度为150℃-250℃。
4.根据权利要求3所述的金属氧化物去除方法，其特征在于，所预设次数为至少两次。
5.根据权利要求1所述的金属氧化物去除方法，其特征在于，所述抽真空处理后所述处理腔室的压强小于1毫巴。
6.一种金属氧化物去除装置，其特征在于，包括：
腔室，设有载板，其中具有金属氧化物薄膜的基底放置于所述载板上；
抽真空模块，对放置有基底的处理腔室进行预设次数的抽真空处理；
蒸汽产生模块，对抽真空处理后的处理腔室通入还原性酸蒸汽；
加热模块，对将通入还原性酸蒸汽的处理腔室加热至预设温度，以使所述还原性酸蒸汽分解后形成的还原性气体与所述基底表面的金属氧化物发生化学反应，以去除所述基底表面的金属氧化物。
7.根据权利要求6所述的金属氧化物去除装置，其特征在于，所述还原性酸蒸汽为甲酸蒸汽；和/或
所述还原性气体为氢气。
8.根据权利要求6或7所述的金属氧化物去除装置，其特征在于，所述预设温度为150℃-250℃。
9.根据权利要求8所述的金属氧化物去除装置，其特征在于，所预设次数为至少两次。
10.根据权利要求6所述的金属氧化物去除装置，其特征在于，所述抽真空处理后所述处理腔室的压强小于1毫巴。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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