[发明专利]金属氧化物去除方法及装置

说明书

本发明公开了一种金属氧化物去除方法及装置，该金属氧化物去除方法包括：对放置有基底的处理腔室进行预设次数的抽真空处理；在抽真空处理后的处理腔室中通入还原性酸蒸汽；将通入还原性酸蒸汽的处理腔室加热至预设温度，以使所述还原性酸蒸汽分解后形成的还原性气体与所述基底表面的金属氧化物发生化学反应，以去除所述基底表面的金属氧化物。通过本发明，可以解决现有技术存在的现有去除氧化铜的效率低、成本较高和对基底损伤较大的问题。

技术领域

本发明涉及氧化物去除的技术领域，尤其涉及一种金属氧化物去除方法及装置。

背景技术

铜工艺是指以铜作为金属互联材料的一系列半导体制造工艺。采用铜柱工艺将微发光二极管(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)阵列封装到驱动基板是一种常用的方法。

铜具有低电阻率和高电子迁移阻抗等先天性的优势，但是也有一个明显的缺陷很容易氧化，而且无法像铝一样形成自我保护氧化层，只要在含氧的环境就会持续不断的氧化，影响后续工艺质量和器件可靠性。

现有去除氧化铜的方法有：

1.高温下(典型350℃)在炉管中通入氢气还原氧化铜，这种方法工艺温度较高，耐温低的基底无法兼容，而且反应速率慢，效率低，同时氢气是危险特殊气体需要配备专门的管路和尾气处理装置，成本较高。

2.用氩气或者其他还原性等离子体处理去除表面氧化物，这种方法对基底损伤较大，而且对于氧化层较厚的基底需要处理时间很长，效率低，效果差，损伤大。

因此，如何改善现有去除氧化铜的效率低、成本较高和对基底损伤较大的技术问题，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。

发明内容

本发明提供了一种金属氧化物去除方法及装置，用以改善现有技术存在的现有去除氧化铜的效率低、成本较高和对基底损伤较大的问题。

本发明采用以下技术方案：

第一方面，根据本发明实施例提供的一种金属氧化物去除方法，包括：

对放置有基底的处理腔室进行预设次数的抽真空处理；

在抽真空处理后的处理腔室中通入还原性酸蒸汽；

将通入还原性酸蒸汽的处理腔室加热至预设温度，以使所述还原性酸蒸汽分解后形成的还原性气体与所述基底表面的金属氧化物发生化学反应，以去除所述基底表面的金属氧化物。

在一个实施例中，所述还原性酸蒸汽为甲酸蒸汽；和/或所述还原性气体为氢气。

在一个实施例中，所述预设温度为150℃-250℃。

在一个实施例中，所预设次数为至少两次。

在一个实施例中，所述抽真空处理后所述处理腔室的压强小于1毫巴。

第二方面，根据本发明实施例提供的一种金属氧化物去除装置，包括：

腔室，设有载板，其中具有金属氧化物薄膜的基底放置于所述载板上；

抽真空模块，对放置有基底的处理腔室进行预设次数的抽真空处理；

蒸汽产生模块，对抽真空处理后的处理腔室通入还原性酸蒸汽；

加热模块，对将通入还原性酸蒸汽的处理腔室加热至预设温度，以使所述还原性酸蒸汽分解后形成的还原性气体与所述基底表面的金属氧化物发生化学反应，以去除所述基底表面的金属氧化物。

本发明有益效果如下：