[发明专利]氮化镓高电子移动率晶体管的栅极结构的制造方法有效
| 申请号： | 201910141595.5 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN111370300B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 刘莒光;杨弘堃 | 申请（专利权）人： | 杰力科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/28;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗英;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓高电子移动率晶体管的栅极结构的制造方法，包括在基板上依序形成一信道层、一阻障层、一掺杂氮化镓层、一未掺杂氮化镓层以及一绝缘层，再移除部分绝缘层，以形成一沟槽。在所述基板上形成一栅极金属层，覆盖绝缘层与沟槽，然后在栅极金属层上形成对准沟槽的一掩膜层，其中掩膜层与绝缘层部分重叠。利用所述掩膜层作为蚀刻掩膜，去除暴露出的栅极金属层及其下方的绝缘层、未掺杂氮化镓层以及掺杂氮化镓层，之后移除掩膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 电子 移动 晶体管 栅极 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
