[发明专利]含铽的硼酸盐化合物、含铽的硼酸盐的多晶化合物、光学晶体及其制备方法和用途有效
| 申请号： | 201910137626.X | 申请日： | 2019-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN109868504B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 贾贞;张秀玲;邢建欣 | 申请（专利权）人： | 德州学院 |
| 主分类号： | C30B28/10 | 分类号： | C30B28/10;C30B29/22;C01B35/12;C09K11/78 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 赵晓丹 |
| 地址： | 253023 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种含铽的硼酸盐化合物，所述含铽的硼酸盐化合物的化学式为Rb |
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| 搜索关键词： | 硼酸盐 化合物 多晶 光学 晶体 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
1.一种含铽的硼酸盐化合物，其特征在于，所述含铽的硼酸盐化合物的化学式为Rb2LiTbB2O6。
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- 本实用新型涉及真空设备技术领域，特别涉及一种光伏产业中多晶炉工艺所需要的抽真空装置。包括罗茨泵油旋片泵真空机组，油旋片真空泵，真空阀，真空计。本实用新型在抽真空过程中利用罗茨泵油旋片泵真空机组对工件或真空箱进行抽真空；在充氩保压阶段，采用低能耗的油旋片真空泵来实现装置的保压，具有有效节约电力能源、降低油旋片真空泵的损耗等特点。
- 通过受控的过度冷却制造半导体材料的非支承的制品的方法-201080019356.X
- G·B·库克;P·马宗达;B·苏曼 - 康宁股份有限公司
- 2010-02-25 - 2012-04-11 - C30B28/10
- 本发明涉及制造半导体材料的制品的方法以及由此形成的半导体材料制品，例如可以用来制造光伏电池的半导体材料。
- 一种高效率制备硅芯的方法和硅芯制备炉-201110305550.0
- 徐文龙;陈少华;景远波 - 天威四川硅业有限责任公司
- 2011-10-11 - 2012-02-08 - C30B28/10
- 本发明涉及硅芯制备领域的制备工艺，特别是一种高效率制备硅芯的方法其步骤如下：将多晶硅装在石英坩埚内加热溶化，再对溶化后的硅溶区进行降温；将带有多根籽晶往下降使多根籽晶与硅溶区接触，通过调整硅溶区温度和籽晶向上的提升速度使籽晶体直径逐渐变大，当硅芯直径接近目标直径时，控制籽晶的直径做等径生长；在生长后期停止供料，视硅芯直径大小控制速度与硅溶区进行脱离，而后将拉制完成的硅芯放在转盘的硅芯存放位上，移取籽晶夹头位上的籽晶夹头进行熔接，该方法对应有特制的硅芯制备炉；本发明可充分利用多晶生产过程中的玉米料、边角料等，有利于降低多晶硅制备过程中的能耗、投资以及人工费用，有利于降低生产太阳能级多晶硅的成本。
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