[发明专利]一种拉制管状材料的简易装置在审

专利信息
申请号: 201910602640.2 申请日: 2019-06-27
公开(公告)号: CN110219041A 公开(公告)日: 2019-09-10
发明(设计)人: 郭李梁 申请(专利权)人: 郭李梁
主分类号: C30B28/10 分类号: C30B28/10;C30B29/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 471000 河南省洛阳市*** 国省代码: 河南;41
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种拉制管状材料的简易装置,涉及新材料技术领域,本发明通过在坩埚(7)的中部设置辅助加热孔A(7.2),在坩埚的外部设置外加热器(5),工作时外加热器在对坩埚外圈加热时,热量还可以通过辅助加热孔A进入坩埚的中部,进而实现坩埚内外圈的同时加热,使坩埚的温度梯度控制更加简单便捷,即坩埚的内圈和外圈温度高,使坩埚上部拉晶部位温度低,从而形成可生长管状材料的温度梯度,当放置在坩埚内的材料熔化后,设置在籽晶座上的管状籽晶插入坩埚内并与坩埚内的熔液接触实现管状材料的拉制,本发明具有操作简单,生产效率高、成本低、结构设计合理等特点,特别适合大范围的推广和应用。
搜索关键词: 坩埚 管状材料 拉制 辅助加热孔 简易装置 外加热器 加热 新材料技术领域 温度梯度控制 材料熔化 生产效率 外部设置 温度梯度 内外圈 籽晶座 拉晶 内圈 熔液 籽晶 生长 应用
【主权项】:
1.一种拉制管状材料的简易装置,包括籽晶座(2)、外加热器(5)和坩埚(7),其特征是:在坩埚(7)的中部设有向上延伸的立柱A(7.1),在所述立柱A(7.1)的中部设有辅助加热孔A(7.2),在坩埚(7)外缘面的外围套接有外加热器(5),所述外加热器(5)连接电源,在立柱A(7.1)的上方设有籽晶座(2),所述籽晶座(2)的上端连接上轴(1),在籽晶座(2)的下端设有管状籽晶(3)形成所述的拉制管状材料的简易装置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于郭李梁,未经郭李梁许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910602640.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种拉制管状材料的简易装置-201910602640.2
  • 郭李梁 - 郭李梁
  • 2019-06-27 - 2019-09-10 - C30B28/10
  • 一种拉制管状材料的简易装置,涉及新材料技术领域,本发明通过在坩埚(7)的中部设置辅助加热孔A(7.2),在坩埚的外部设置外加热器(5),工作时外加热器在对坩埚外圈加热时,热量还可以通过辅助加热孔A进入坩埚的中部,进而实现坩埚内外圈的同时加热,使坩埚的温度梯度控制更加简单便捷,即坩埚的内圈和外圈温度高,使坩埚上部拉晶部位温度低,从而形成可生长管状材料的温度梯度,当放置在坩埚内的材料熔化后,设置在籽晶座上的管状籽晶插入坩埚内并与坩埚内的熔液接触实现管状材料的拉制,本发明具有操作简单,生产效率高、成本低、结构设计合理等特点,特别适合大范围的推广和应用。
  • 一种生长多晶硅靶材的方法-201710223931.1
  • 陈洪建;王佳;阎文博;张恩怀 - 河北工业大学
  • 2017-04-07 - 2019-06-25 - C30B28/10
  • 本发明涉及一种生长多晶硅靶材的方法,包括装炉、化料、引晶、放肩、转肩、等径和收尾过程,所述引晶过程是:多晶硅原料化料完成后,将加热功率降至引晶所需大小,降温至使熔体硅的液面具有过冷度,降低提拉装置上的籽晶杆,使籽晶底面接触熔体硅,待观测到籽晶与熔体硅接触位置的光圈稳定时,以3~7mm/min的拉晶速率向上拉籽晶,晶体在籽晶和熔体硅的接触面随籽晶的提高而生长即凝固,当得到的晶体尺寸维持在直径为3~5mm、长度为160~190mm时,得到细晶,进而降低拉晶速率进入放肩阶段;所述放肩过程是:拉晶速率降低至0.4~0.8mm/min,同时以15~25℃/hr的降温速率进行线性降温,使晶体放肩,直至晶体直径为小于产品所需直径5~7mm的大小时,停止线性降温。
  • 一种用于硅锭生产的原料熔融装置-201821007026.9
  • 傅金生;李洪峰;李炳曌;余振亚;朱佳磊;张聪;杜耀亭;寇华 - 滁州华鼎新能源有限公司
  • 2018-06-28 - 2019-04-19 - C30B28/10
  • 本实用新型涉及硅锭生产设备领域,尤其涉及一种用于硅锭生产的原料熔融装置,外防护部分、集装部分、升降部分和加热部分;所述外防护部分包含外防护壳,所述外防护壳的内侧壁固定玻纤绝缘板;所述集装部分包含石英坩埚,所述石英坩埚的侧部固定石墨坩埚,且所述石墨坩埚的底部安装密封盖板;所述升降部分包含气动滑块,所述气动滑块滑动连接气动滑轨;所述气动滑轨的底部安装支撑杆,且所述支撑杆的底部固定底座;所述加热部分包含加热电极,所述加热电极与电源箱体内部之间电性连接。本实用新型,方便熔融时进行上下料,降低劳动力,同时在熔融时配合可旋转、可加热的搅拌头,加大内部的流动速率,提高熔融效率。
  • 一种无机非金属氧化物半导体合成工作台-201821301806.4
  • 梁士明;王常春;胡尊富;杨瑞宁;赵晓林;刘增欣;袁真;刘煜;张蕾;薛光宇;于梦贤;惠晓雨 - 临沂大学
  • 2018-08-14 - 2019-04-12 - C30B28/10
  • 本实用新型公开了一种无机非金属氧化物半导体合成工作台,包括固定座、摇摆座、偏心轮、合成主体和内筒,固定座的内部安装有摇摆座,且摇摆座的顶端固定有安装盘,所述摇摆座内部两侧的顶端和低端均固定有承重柱,且承重柱与固定座内侧壁之间的两端均安装有支撑柱,所述支撑柱上均固定有弹簧,且支撑柱均穿过摇摆座的侧壁,所述摇摆座内部的中间位置处固定有双轴电机,且双轴电机的底端通过转轴安装有偏心轮。该无机非金属氧化物半导体合成工作台摇摆座和偏心轮,当双轴电机工作带动偏心轮旋转时,在偏心轮自重与离心力的双重作用下,摇摆座会在支撑柱上进行左右晃动,从而使得合成主体内部原料混合的更均匀。
  • 一种太阳能多晶硅原料的制备工艺-201811428772.X
  • 张进 - 江苏拓正茂源新能源有限公司
  • 2018-11-27 - 2019-01-15 - C30B28/10
  • 本发明公开了一种太阳能多晶硅原料的制备工艺,将原料金属硅粉碎,再用精炼剂进行酸洗,酸洗后送入多晶硅提拉炉熔融后进行提拉,利用多晶硅提拉炉抽真空设施隔离空气,提高提拉炉坩锅上升速度,已经分离出来的硅粉再放置在电选机中进行电选分离,经粗提后的多晶硅材料进入区熔炉,使区熔炉内形成区间温度梯度,熔化在真空中进行,运用热趋法排除硅渣杂质,本发明一种太阳能多晶硅原料制备工艺,所采用的电选工艺成熟,操作简单,工艺步骤少,适用于任何型式的多晶硅提拉炉,利于环保,节约成本,经济效益高。
  • 一种太阳能级多晶硅片的铸造方法-201710487320.8
  • 余刚;丁一;王剑;姚玖洪 - 镇江仁德新能源科技有限公司
  • 2017-06-23 - 2019-01-01 - C30B28/10
  • 本发明提供的一种太阳能级多晶硅片的铸造方法,包括装料,抽取真空,加热、保温、降温,以及定向拉锭四个工序,其中在加热、保温、降温工序中,先采用80~100min从室温加热至900~1100℃,采用50~70min加热至1400~1600℃,并保持该温度一定时间,然后采用50~70min将温度从1400~1600℃降至900~1100℃,余下温度采用炉冷的方式进行冷却,使得硅原料中Al元素的杂质去除率为61%,Ca元素的杂质去除率接近100%,P元素的杂质去除率达到了82.3%。
  • 一种用于硅锭生产的原料熔融装置-201810684853.X
  • 傅金生;李洪峰;李炳曌;余振亚;朱佳磊;张聪;杜耀亭;寇华 - 滁州华鼎新能源有限公司
  • 2018-06-28 - 2018-11-06 - C30B28/10
  • 本发明涉及硅锭生产设备领域,尤其涉及一种用于硅锭生产的原料熔融装置,外防护部分、集装部分、升降部分和加热部分;所述外防护部分包含外防护壳,所述外防护壳的内侧壁固定玻纤绝缘板;所述集装部分包含石英坩埚,所述石英坩埚的侧部固定石墨坩埚,且所述石墨坩埚的底部安装密封盖板;所述升降部分包含气动滑块,所述气动滑块滑动连接气动滑轨;所述气动滑轨的底部安装支撑杆,且所述支撑杆的底部固定底座;所述加热部分包含加热电极,所述加热电极与电源箱体内部之间电性连接。本发明,方便熔融时进行上下料,降低劳动力,同时在熔融时配合可旋转、可加热的搅拌头,加大内部的流动速率,提高熔融效率。
  • 方硅芯铸锭炉炉体-201721304692.4
  • 武东伟;张礼铭;殷硕;徐溢 - 江阴东升新能源股份有限公司
  • 2017-10-11 - 2018-05-01 - C30B28/10
  • 本实用新型涉及一种方硅芯铸锭炉炉体,它包括炉体(1),所述炉体(1)左右两侧设置有支撑座(2),所述炉体(1)包括底板(1.1),所述底板(1.1)四周设置有侧板(1.2),所述侧板(1.2)内侧设置有衬板(1.3),所述衬板(1.3)顶部设置有顶板(1.4),所述顶板(1.4)左右两侧设置有吊耳(3),所述顶板(1.4)上设置有左中右三对进气孔(4),每个排气孔(4)内均设置有氩气导流管(5),所述氩气导流管(5)的材质为钼。本实用新型一种方硅芯铸锭炉炉体,它增加了氩气在硅锭表面的覆盖及吹扫面积,降低了硅芯的碳含量,提高了产品品质。
  • 用于硅片水平提拉的加热装置-201611186237.9
  • 徐晓东;丁建宁;袁宁一 - 常州大学
  • 2016-12-20 - 2017-03-22 - C30B28/10
  • 本发明涉及一种用于硅片水平提拉的加热装置,其特征是,包括坩埚以及控制系统,所述坩埚内形成熔化区、液相区以及结晶区,所述熔化区和液相区的底部相通,所述结晶区与液相区相通;坩埚上设置有溶液控温系统,用于控制硅颗粒在熔化区内的熔化以及液相区内硅溶液基础温度;钳锅上设置有用于结晶控温系统,用于控制硅片结晶所需要的温度梯度;控制系统分别与溶液控温系统和结晶控温系统连接。加热装置使用方便,对温度梯度控制精准,运行稳定,实现对硅片的水平提拉。
  • 硅片水平提拉成型设备热场结构-201611242142.4
  • 丁建宁;沈达鹏;袁宁一;徐晓东 - 常州大学
  • 2016-12-29 - 2017-03-22 - C30B28/10
  • 本发明涉及一种硅片水平提拉成型设备热场结构,包括炉体以及设置在炉体内的底座石墨和钳锅,钳锅设置在底座石墨的上端,钳锅的两侧经石墨钩子与底座石墨固定连接,钳锅上形成硅晶熔融区以及温度控制区,硅晶熔融区和温度控制区相通,钳锅下方设置有2根用于石墨加热棒;钳锅温度控制区下方设置有调温石墨毡块和保温石墨毡块,调温石墨毡块连接插杆;底座石墨的一侧设置开口,开口与钳锅的温度控制区连通,开口外侧安装用于水平提拉的基板。本发明的水平硅片提拉成型设备的热场结构,结构设计合理,实用性强,装配方便,有效提高硅片的品质,减少硅片的内部缺陷。
  • 一种制备高温超导人工晶界的液相外延方法-201410382526.0
  • 郭林山;相辉;王伟;崔祥祥;姚忻 - 上海交通大学
  • 2014-08-06 - 2017-01-25 - C30B28/10
  • 本发明公开了一种制备高温超导人工晶界的液相外延方法,包括以下步骤(a)制备Ba‑Cu‑O先驱粉末;(b)将Ba‑Cu‑O先驱粉末加入到晶体生长炉中的Y2O3坩埚,加热至第一温度进行保温,获得Y‑Ba‑Cu‑O溶液;(c)在溶液中再次加入Ba‑Cu‑O先驱粉末,并保温;(d)将溶液以第一降温速度降低至第二温度;(e)将固定在连接杆上特定结构的YBCO/NGO基板作为籽晶材料插入到步骤(d)得到的溶液,生长a/c轴取向的YBCO人工晶界。本发明采用YBCO/NGO基板作为籽晶,通过控制第二次加入Ba‑Cu‑O粉末的量以及保温的时间以实现外延生长a/c轴取向的YBCO人工晶界。
  • 一种用产品料直接拉制硅芯的方法-201410311486.0
  • 刘朝轩;王晨光;史优才 - 洛阳金诺机械工程有限公司
  • 2014-07-02 - 2015-01-07 - C30B28/10
  • 一种用产品料直接拉制硅芯的方法,涉及人工晶体领域,本发明通过选用直径为¢110~¢160mm的产品料作为硅芯拉制的原料棒,其中直径为¢110~¢160mm的产品料在还原炉内生长时,由于其充分利用了晶棒的快速生长期,有效的降低了原料棒的成本,同时本发明中产品料棒在还原炉内生长时无需降低进料和沉积速度,有效的降低了晶棒的生长周期,本发明具有生产成本低,生产效率高等特点。
  • 一种制备特定混合取向YBCO高温超导厚膜的方法-201310242515.8
  • 姚忻;郭林山;蒋金生;陈媛媛;程玲;彭波南;王伟 - 上海交通大学
  • 2013-06-18 - 2013-09-04 - C30B28/10
  • 本发明公开了一种制备特定混合取向YBCO高温超导厚膜的方法,包括如下工序:1)制备Ba-Cu-O相的先驱粉末;2)将Ba-Cu-O先驱粉末加入到晶体生长炉中的Y2O3坩埚中;加热至第一温度进行保温,获得Y-Ba-Cu-O溶液;3)在高温溶液加入Ba-Cu-O先驱粉末,并保温;4)将溶液以第一降温速度降低至第二温度;5)将固定在连接杆的籽晶材料插入到步骤4)得到的溶液,液相外延生长获得特定混合取向YBCO高温超导厚膜。本发明通过在高温阶段再次加入Ba-Cu-O粉末,使Y-Ba-Cu-O溶液在亚稳区达到较低过饱和度的状态,生长一致取向的混合晶界结构的YBCO液相外延膜,工艺简单,操作方便。
  • 一种抽真空装置-201120550887.3
  • 深浦裕治 - 宁波爱发科真空技术有限公司
  • 2011-12-26 - 2012-10-03 - C30B28/10
  • 本实用新型涉及真空设备技术领域,特别涉及一种光伏产业中多晶炉工艺所需要的抽真空装置。包括罗茨泵油旋片泵真空机组,油旋片真空泵,真空阀,真空计。本实用新型在抽真空过程中利用罗茨泵油旋片泵真空机组对工件或真空箱进行抽真空;在充氩保压阶段,采用低能耗的油旋片真空泵来实现装置的保压,具有有效节约电力能源、降低油旋片真空泵的损耗等特点。
  • 一种高效率制备硅芯的方法和硅芯制备炉-201110305550.0
  • 徐文龙;陈少华;景远波 - 天威四川硅业有限责任公司
  • 2011-10-11 - 2012-02-08 - C30B28/10
  • 本发明涉及硅芯制备领域的制备工艺,特别是一种高效率制备硅芯的方法其步骤如下:将多晶硅装在石英坩埚内加热溶化,再对溶化后的硅溶区进行降温;将带有多根籽晶往下降使多根籽晶与硅溶区接触,通过调整硅溶区温度和籽晶向上的提升速度使籽晶体直径逐渐变大,当硅芯直径接近目标直径时,控制籽晶的直径做等径生长;在生长后期停止供料,视硅芯直径大小控制速度与硅溶区进行脱离,而后将拉制完成的硅芯放在转盘的硅芯存放位上,移取籽晶夹头位上的籽晶夹头进行熔接,该方法对应有特制的硅芯制备炉;本发明可充分利用多晶生产过程中的玉米料、边角料等,有利于降低多晶硅制备过程中的能耗、投资以及人工费用,有利于降低生产太阳能级多晶硅的成本。
  • 一种用于3寸多晶硅生长的装置及方法-201110055703.0
  • 柳祝平;黄小卫 - 元亮科技有限公司
  • 2011-03-09 - 2011-08-03 - C30B28/10
  • 一种用于3寸多晶硅生长装置及其方法,包括石英制成的隔板、上下传动机构、驱动电机。下种之前,启动驱动电机,将隔板下降到接近硅液面处预热;待隔板温度与硅液温度接近后,再将隔板下降到硅液面上,隔板上端高出硅液5mm,稳定后下种;等径生长过程中,随着晶体的提拉,硅液逐渐消耗,隔板将与硅液同时下降以尽量保持隔板上端始终高出硅液面5mm;拉晶结束后,将隔板提拉出硅液面。隔板为空心圆柱形,下端开有若干孔隙,以维持硅液混合均匀。
  • 一炉次中能够拉制多组硅芯的硅芯炉-201020263488.4
  • 董淑梅;王俊辉;王建春;宋艳玲;原洛渭;王一强;吴斌;李春蕊;贾志华;刘凯;薛武鹏 - 西安理工晶体科技有限公司
  • 2010-07-20 - 2011-01-19 - C30B28/10
  • 本实用新型的一炉次中能够拉制多组硅芯的硅芯炉,包括连通的上炉室和下炉室,上炉室的上端设置有籽晶抓卸及转盘分度装置,上炉室的上方设置有上传动装置,下炉室内部设置有高频电极及感应加热组件,高频电极及感应加热组件包括高频感应加热器和高频电极组件;下炉室与上炉室中设置有贯通上下的导向钢丝,导向钢丝上安装有籽晶卡头座,籽晶卡头座与籽晶卡头挂接,上传动装置通过软轴与籽晶卡头座连接,籽晶卡头上的籽晶头与高频感应加热器中的硅芯拉制孔一一对应。本实用新型的硅芯炉,能够在一炉次拉制15-18根硅芯,大大提高了硅芯的生产效率,降低了单根硅芯的能耗,降低了多晶硅生产的成本。
  • 一炉次中多次拉制多根硅芯的硅芯炉-201010230525.6
  • 董淑梅;王俊辉;王建春;宋艳玲;原洛渭;王一强;吴斌;李春蕊;贾志华;刘凯;薛武鹏 - 西安理工晶体科技有限公司
  • 2010-07-20 - 2010-11-24 - C30B28/10
  • 本发明公开的一炉次中多次拉制多根硅芯的硅芯炉,在机架中设有下传动装置和水冷却装置,机架上安装有下炉室和槽路滑车,槽路滑车上设有高频槽路,下炉室内设有充气装置、高频电极及感应加热组件、抽空装置,高频电极及感应加热组件与高频槽路连接;下炉室与上炉室连通,下炉室与上炉室中设有贯通上下的导向钢丝,导向钢丝上设有导向架,导向架上装有籽晶卡头座及籽晶卡头,上炉室的上端设置有籽晶抓卸及转盘分度装置,上炉室的上方设置上传动装置,上炉室与上传动之间设有过渡副室,上传动装置与籽晶卡头座通过软轴连接。本发明的硅芯炉,实现了一炉次拉制15-18根硅芯,提高了硅芯的生产效率,降低了多晶硅生产的成本。
  • 自动化光电晶体炉的错误处理系统及其方法-201010162295.4
  • 王彪;李一伦;周子凡;朱允中;林少鹏 - 中山大学
  • 2010-04-27 - 2010-09-08 - C30B28/10
  • 本发明涉及一种自动化光电晶体炉的错误处理系统,用于晶体炉的硬件模块及软件模块的错误信息处理,其包括用于定时扫描硬件模块及软件模块的检测模块、判断检测模块扫描到的数据是否超出一安全范围的判断模块及确定超出安全范围的硬件模块信息并发出提示信息的提示模块及在软件模块陷入崩溃状态时进行数据备份的存储模块,其中,该检测模块通过判断模块分别与提示模块及存储模块连接。本发明能有效保障晶体炉处于正常工作状态,避免安全事故的发生。同时,本发明还公开了一种自动化光电晶体炉的错误处理方法。
  • 自动化光电晶体炉的生长前阶段控制方法-201010169265.6
  • 王彪;周子凡;李一伦;朱允中;王云华;林少鹏 - 中山大学
  • 2010-04-30 - 2010-09-08 - C30B28/10
  • 本发明涉及一种自动化光电晶体炉的生长前阶段控制方法,该晶体炉包括炉体及提拉杆,还包括加热模块、测温模块、温控模块、提拉模块、旋转模块、监控模块及控制系统,该方法包括以下步骤:将炉体晶料加热融化;提拉杆下晶,使提拉杆上籽晶进入炉体液面下,当液体吸附到籽晶时,进入下步骤;提拉及转动提拉杆,进入缩颈过程,监控模块读取炉体内剩余晶体重量,若监测晶体生长速率为负值,降低加热温度;若监测生长速率为正值且很大,升高加热温度;当缩颈部分达到预设长度,结束缩颈过程;加快晶体的生长速率,使晶体直径由小变大,直至达到预设晶体直径,完成生长前阶段。
  • 一种多晶硅双硅芯拉制装置-200820228481.1
  • 董淑梅;刘凯;原洛渭;宋艳玲;王建春;袁文愈 - 西安理工晶体科技有限公司
  • 2008-12-26 - 2009-09-30 - C30B28/10
  • 本实用新型公开了一种多晶硅双硅芯拉制装置,包括从上到下依次设置的导向部分、籽晶夹持部分、双芯高频线圈部分及原料棒籽晶夹持部分,导向部分与籽晶夹持部分连接,双芯高频线圈部分设置有两个芯孔,原料棒籽晶夹持部分设置有两个原料棒,籽晶夹持部分夹持的两个籽晶分别与两个芯孔轴线以及两个原料棒轴线对正;籽晶夹持部分设置有两组硅芯拉制单元,每组硅芯拉制单元包括依次连接的连接座、接头、接套、籽晶头座,籽晶头座与籽晶头通过锥面连接,籽晶头又同轴穿过支承头、夹头、夹爪;双芯高频线圈采用串联结构;两根原料棒固定在两个独立运动的传动轴上。本实用新型的硅芯炉装置一次能同时拉制两根硅芯,提高了效率,节省人力、物力及能源。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top