[发明专利]MEMS传感器及电子设备有效
| 申请号： | 201910137095.4 | 申请日： | 2019-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN109941956B | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 邹泉波;冷群文 | 申请（专利权）人： | 潍坊歌尔微电子有限公司;北京航空航天大学青岛研究院 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 王昭智 |
| 地址： | 261061 山东省潍坊市高新区新城*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS传感器及电子设备，敏感膜层包括敏感部、固定部；磁检测机构包括设置在所述敏感部上的磁体，还包括设置在固定部上且分别在X轴方向上位于磁体相对两侧的磁阻；两个磁阻的中心至磁体中心的距离相等，且两个磁阻的感测方向相同，均在X轴方向上；当所述敏感部在Z轴方向上振动时，其中一个磁阻的阻值变大，另一个磁阻的阻值变小，且变化量相同，二者构成了惠斯通电桥。本发明的传感器，容易控制磁体与磁阻的对准工艺，而且可以将磁铁、磁阻做得更小，实现了传感器的小型化发展，同时还易于提高传感器的检测性能。 | ||
| 搜索关键词： | mems 传感器 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS传感器，其特征在于：包括承载在衬底上且位于XY平面内的敏感膜层，所述敏感膜层包括敏感部，以及与敏感部分离的固定部；还包括设置在敏感部和固定部上的磁检测机构；所述磁检测机构包括设置在所述敏感部上的磁体，所述磁体的磁化方向在Z轴方向上；还包括设置在所述固定部上且分别在X轴方向上位于磁体相对两侧的磁阻；两个磁阻的中心至磁体中心的距离相等，且两个磁阻的感测方向相同，均在X轴方向上；或者是，所述磁检测机构包括设置在所述固定部上的磁体，所述磁体的磁化方向在Z轴方向上；还包括设置在所述敏感部上且分别在X轴方向上位于磁体相对两侧的磁阻；所述两个磁阻的中心至磁体中心的距离相等，且两个磁阻的感测方向相同，均在X轴方向上；当所述敏感部在Z轴方向上振动时，其中一个磁阻的阻值变大，另一个磁阻的阻值变小，且变化量相同，二者构成了惠斯通电桥。
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