[发明专利]半导体器件

摘要

提供了一种半导体器件。半导体器件包括在衬底上彼此相邻的第一逻辑单元和第二逻辑单元、以及在第一逻辑单元与第二逻辑单元之间在第一方向上延伸的混合分离结构。每个逻辑单元包括：第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案和第二有源图案在与第一方向相交的第二方向上延伸，并且在第一方向上彼此间隔开；以及栅电极，在第一方向上延伸并跨越第一有源图案和第二有源图案，并且所述多个栅电极以栅极间距间隔开。混合分离结构包括将第一逻辑单元的第一有源图案与第二逻辑单元的第一有源图案分离的第一分离结构；以及第一分离结构上的第二分离结构。第一分离结构的宽度大于栅极间距。

主权项

1.一种半导体器件，包括：第一逻辑单元和第二逻辑单元，所述第一逻辑单元和所述第二逻辑单元在衬底上彼此相邻；以及混合分离结构，所述混合分离结构在所述第一逻辑单元与所述第二逻辑单元之间在第一方向上延伸，其中，所述第一逻辑单元和所述第二逻辑单元中的每一个包括：第一有源图案和第二有源图案，所述第一有源图案和所述第二有源图案在与所述第一方向相交的第二方向上延伸并且在所述第一方向上彼此间隔开；以及多个栅电极，在所述第一方向上延伸并跨越所述第一有源图案和所述第二有源图案，所述多个栅电极以栅极间距间隔开，并且其中，所述混合分离结构包括：第一分离结构，所述第一分离结构将所述第一逻辑单元的第一有源图案与所述第二逻辑单元的第一有源图案分离；以及第二分离结构，所述第二分离结构在所述第一分离结构上，其中，所述第一分离结构的宽度大于所述栅极间距。