[发明专利]一种集成LED光源的表面量子点湿度传感器及其制作方法在审
| 申请号： | 201910135771.4 | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN109916865A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 王国东;谢东垒;杨莹丽;刘小莲;朱红伟;王家森 | 申请（专利权）人： | 河南理工大学;王家森 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64;G01N27/12;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京华仁联合知识产权代理有限公司 11588 | 代理人： | 苏雪雪 |
| 地址： | 454000 河南省焦作*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成LED光源的表面量子点湿度传感器及制作方法，方法包括：制备LED光源层，在LED光源层上沉积一GaAs层；在GaAs层上依次沉积n型GaAs缓冲层、N层InGaAs掩埋量子点层和InGaAs表面量子点层，形成表面量子点湿度传感层；在n型GaAs缓冲层上形成第一台阶；在p型GaP电流扩展层上形成第二台阶；在n型AlGaInP下限制层上形成第三台阶；在InGaAs表面量子点层的上表面一端、第一台阶、第二台阶、第三台阶的上表面及两侧，沉积形成钝化层；在钝化层上腐蚀出四个引线孔，并在四个引线孔中分别蒸度Au/Ge/Ni，形成传感上电极、传感下电极、LED上电极和LED下电极。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点层 量子点 沉积 集成LED光源 湿度传感器 钝化层 上表面 下电极 引线孔 电极 传感 电流扩展层 下限制层 传感层 制备 制作 掩埋 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种集成LED光源的表面量子点湿度传感器的制作方法，其特征在于，包括：S1：制备LED光源层，所述LED光源层包括：在GaAs衬底(01)上从下到上依次沉积的n型AlGaInP下限制层(02)、AlGaInP多量子阱层(03)、p型AlGaInP上限制层(04)和p型GaP电流扩展层(05)；S2：使用分子束外延技术，在所述LED光源层上沉积一GaAs层(06)；S3：使用分子束外延技术，在所述GaAs层(06)上依次沉积n型GaAs缓冲层(07)、N层InGaAs掩埋量子点层(08)和InGaAs表面量子点层(14)，形成表面量子点湿度传感层；其中，N为大于或者等于1的正整数：S4：采用干法刻蚀技术进行第一次刻蚀，刻蚀深度达到所述n型GaAs缓冲层(07)，在所述n型GaAs缓冲层(07)上形成第一台阶；S5：采用干法刻蚀技术，在所述第一台阶表面继续刻蚀，刻蚀深度达到p型GaP电流扩展层(05)，在所述p型GaP电流扩展层(05)上形成第二台阶；S6：采用干法刻蚀技术，在所述第二台阶表面继续刻蚀，刻蚀深度达到n型A1GaInP下限制层(02)，在所述n型AlGaInP下限制层(02)上形成第三台阶；S7：在所述InGaAs表面量子点层(14)的上表面一端、所述第一台阶的上表面及两侧、所述第二台阶的上表面及两侧、所述第三台阶的上表面及两侧，沉积SiO2形成钝化层(13)；S8：在所述钝化层(13)上进行光刻，腐蚀出四个引线孔，并在四个所述引线孔中分别蒸度Au/Ge/Ni，形成传感上电极(11)、传感下电极(12)、LED上电极(10)和LED下电极(9)；S9：进行管芯分割，完成集成LED光源的表面量子点湿度传感器的制作。
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