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[实用新型]一种集成OLED光源的表面量子点湿度传感器-CN201920230443.8有效
发明人：王国东;曹国华;朱红伟;王康佳;杨莹丽 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成OLED光源的表面量子点湿度传感器，包括：表面量子点湿度传感层，表面量子点湿度传感层包括：在GaAs衬底(01)上从下到上依次设置的n型GaAs缓冲层、N层InGaAs掩埋量子点层、以及InGaAs表面量子点层；且在n型GaAs缓冲层上形成由InGaAs掩埋量子点层组成的第一台阶，以及在第一台阶上形成由InGaAs表面量子点层组成的第二台阶；在第一台阶的两侧及露出的上表面和第二台阶的上表面及两侧，设置有钝化层；在钝化层上设置有腐蚀出的两个引线孔，并在两个引线孔中分别设置有传感上电极和传感下电极；在InGaAs表面量子点层露出的上表面一端，设置有OLED光源层。
一种集成 oled 光源表面量子湿度传感器

[实用新型]一种集成LED光源的表面量子点湿度传感器-CN201920230386.3有效
发明人：王国东;谢东垒;杨莹丽;刘小莲;朱红伟;王家森 -专利权人：河南理工大学;王家森
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成LED光源的表面量子点湿度传感器，包括：GaAs衬底上面设置的LED光源层；所述LED光源层上设置的GaAs层；所述GaAs层上设置的表面量子点湿度传感层；所述表面量子点湿度传感层包括：在所述GaAs层表面上从下到上依次沉积的n型GaAs缓冲层、N层InGaAs掩埋量子点层和InGaAs表面量子点层；在所述InGaAs表面量子点层的上表面一端、第一台阶的上表面及两侧、第二台阶的上表面及两侧、第三台阶的上表面及两侧，设置有钝化层；在钝化层上设置有四个引线孔，并在四个所述引线孔中分别设置有传感上电极、传感下电极、LED上电极和LED下电极。
上表面量子点层量子点电极传感层钝化层下电极引线孔传感集成LED光源本实用新型湿度传感器沉积衬底掩埋

[发明专利]一种集成OLED光源的表面量子点湿度传感器及其制作方法-CN201910135744.7在审
发明人：王国东;曹国华;朱红伟;王康佳;杨莹丽 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成OLED光源的表面量子点湿度传感器及其制作方法。制作方法包括：制备表面量子点湿度传感层，包括：在GaAs衬底上从下到上依次沉积的n型GaAs缓冲层、N层InGaAs掩埋量子点层、InGaAs表面量子点层；对表面量子点湿度传感层进行刻蚀，在n型GaAs缓冲层上形成由InGaAs掩埋量子点层组成的第一台阶，在第一台阶上形成由InGaAs表面量子点层组成的第二台阶；在第一台阶的两侧及露出的上表面和第二台阶的上表面及两侧，形成沉积钝化层；在钝化层上进行光刻，腐蚀两个引线孔，在两个引线孔中分别蒸度Au、Ge、Ni；在InGaAs表面量子点层的露出的上表面一端，制备OLED光源层。
量子点层量子点上表面湿度传感器传感层引线孔制备掩埋制作沉积钝化层钝化层衬底光刻刻蚀沉积腐蚀

[发明专利]一种集成LED光源的表面量子点湿度传感器及其制作方法-CN201910135771.4在审
发明人：王国东;谢东垒;杨莹丽;刘小莲;朱红伟;王家森 -专利权人：河南理工大学;王家森
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成LED光源的表面量子点湿度传感器及制作方法，方法包括：制备LED光源层，在LED光源层上沉积一GaAs层；在GaAs层上依次沉积n型GaAs缓冲层、N层InGaAs掩埋量子点层和InGaAs表面量子点层，形成表面量子点湿度传感层；在n型GaAs缓冲层上形成第一台阶；在p型GaP电流扩展层上形成第二台阶；在n型AlGaInP下限制层上形成第三台阶；在InGaAs表面量子点层的上表面一端、第一台阶、第二台阶、第三台阶的上表面及两侧，沉积形成钝化层；在钝化层上腐蚀出四个引线孔，并在四个引线孔中分别蒸度Au/Ge/Ni，形成传感上电极、传感下电极、LED上电极和LED下电极。
量子点层量子点沉积集成LED光源湿度传感器钝化层上表面下电极引线孔电极传感电流扩展层下限制层传感层制备制作掩埋腐蚀

[发明专利]一种表面温度均匀的电磁感应加热平板-CN201610966302.3有效
发明人：王国东;王允建;刘小莲;徐永豪;王昊;杨莹丽 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2016-11-05 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H05B6/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种表面温度均匀的电磁感应加热平板，可有效解决现有设备消耗功率大和温度均匀性差的问题，技术方案是，该加热平板包括外壳、金属平板、上隔热层、磁柱、磁材料层、下隔热层、感应线圈和中频电源，外壳为非磁性材料制成的上部开口的中空结构，外壳内底部装有下隔热层，下隔热层上装有磁材料层，磁材料层上装有均布的磁柱，磁柱上装有上隔热层，上隔热层上装有金属平板，每个磁柱外侧均装有感应线圈，本发明结构新颖独特，简单合理，易操作，成本低，表面温度均匀性好，加热效率高，能耗低，是电磁感应加热平板上的创新。
一种表面温度均匀电磁感应加热平板

[发明专利]一种小尺寸像元量子阱红外焦平面光敏元芯片-CN201510099725.5有效
发明人：王国东;张利伟;刘小莲;朱红伟;孙俊岭;杨莹丽 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2015-03-08 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电子器件领域，具体涉及一种小尺寸像元量子阱红外焦平面光敏元芯片，包括自下而上的顺序依次设置的GaAs衬底、由在金薄膜中刻蚀出M×N个凹字型光栅孔，并在光栅孔中填充GaAs构成的透射光栅、n型GaAs下接触层、金/锗/镍合金公共下电极、M×N个像元、二氧化硅钝化层；像元包括自下而上的GaAs/AlGaAs多量子阱层、n型GaAs上接触层、金反射层、金/锗/镍合金上电极。本发明采用分子束外延方法和常规半导体工艺将凹字型光栅孔构成的透射光栅置于多量子阱层的底部，既提高了量子阱红外焦平面光敏元芯片的光耦合效率和探测率，又减小了像元的尺寸，提高了光敏元芯片的成像分辨率。
一种尺寸量子红外平面光敏芯片

[发明专利]一种底部耦合光栅量子阱红外焦平面光敏元芯片及其制备方法-CN201110380428.X无效
发明人：王国东;王允建;李端;谢贝贝;杨莹丽;王素玲 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明涉及底部耦合光栅量子阱红外焦平面光敏元芯片及其制备方法，可有效解决简化焦平面光敏元芯片制作工艺，提高光栅耦合效率的问题，方法是，在砷化镓衬底上面有由n型砷化镓和金交替周期性排列构成的透射光栅，透射光栅上面有下接触层，下接触层上有多量子阱层，多量子阱层上有上接触层，上接触层上有金反射层，金反射层上面有合金上电极，下接触层的一端上有合金公共下电极，下接触层、多量子阱层、上接触层、金反射层、合金上电极和合金公共下电极的两侧有二氧化硅钝化层；其制备方法是，采用晶片键合工艺和常规半导体工艺将透射光栅置于多量子阱层的底部，形成一体结构，本发明结构新颖独特，提高光耦合效率，制作工艺、方法简单。
一种底部耦合光栅量子红外平面光敏芯片及其制备方法

[发明专利]数字图像中不规则区域自动匹配方法-CN201010154823.1无效
发明人：王志衡;刘红敏;邓超;贾宗璞;杨莹丽 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2010-03-30 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： G06K9/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种数字图像中不规则区域自动匹配方法，包括：采集图像并输入计算机；提取图像中的不规则区域；通过计算不规则区域内各点的平均梯度方向确定不规则区域的主方向；通过计算各点的不对称性确定其最大对称位置；以最大对称位置为中心，以主方向为起始方向，确定不规则区域的邻域；将不规则区域的邻域从里到外划分为三层，并将每层进一步沿圆周方向划分为至少一个子区域；利用梯度内积与外积运算构造不规则区域的匹配描述子；通过计算所得描述子之间欧式距离并利用双向匹配准则计算不规则区域之间的相似性，进行区域匹配并输出结果。本发明提供的方法，不会引入由于将不规则区域的形状拟合为规则形状带来的误差，提高了匹配的准确性。
数字图像不规则区域自动匹配方法

[发明专利]合成CdTe半导体荧光纳米晶体材料的方法及其合成系统-CN200710055458.7无效
发明人：周建光;刘岩;沈启慧;于东冬;黄校亮;杨莹丽;金丽;范宏亮;张磊;赵晓丽 -专利权人：吉林大学
申请日： 2007-03-28 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种化工领域合成CdTe半导体荧光纳米晶体材料的方法及其合成系统。旨在提供一种绿色、简易、可控、不需要外加能量和不使用挥发性溶剂，对操作人员无危害的方法及系统。方法按下列步骤：制备碲源；制备镉源；碲源与镉源混合，常温下得到CdTe半导体荧光纳米晶体的晶核水溶液；加入引发剂水合肼，用光纤全谱仪实时监测CdTe半导体荧光纳米晶体生长情况；当CdTe半导体荧光纳米晶体生长到目标值时，加入终止剂正己醇，终止生长；采用高速离心机除去上清液，得到CdTe半导体荧光纳米晶体溶液。合成系统由合成装置(14)、紫光灯(10)、检测器(11)、小型光纤全谱仪(12)和安装有专用软件的电脑(13)组成。
合成 cdte 半导体荧光纳米晶体材料方法及其系统

[发明专利]显现潜在指纹的方法及其显现系统-CN200710055254.3无效
发明人：周建光;黄校亮;刘岩;许晓宇;于东冬;金丽;杨莹丽;范宏亮;张磊;赵晓丽 -专利权人：吉林大学
申请日： 2007-01-23 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种涉及利用CdTe荧光纳米粒子和雾化技术显现潜在指纹的方法及其显现系统。其顺序步骤为制备CdTe荧光纳米粒子；利用ICP玻璃高效雾化器或超声雾化器将荧光纳米粒子溶液喷附到载有指纹的指纹载体表面；用氰基丙烯酸酯熏蒸指纹载体表面形成指纹的加固膜以及采用紫外线荧光照相法获取荧光指纹图像。显现系统是由装有荧光纳米粒子溶液的容器(1)、氩气瓶(2)、ICP玻璃高效雾化器(3)、紫光灯(4)和显微数码照相装置(5)组成。本发明主要适用于公安刑事侦查领域潜在指纹的显现。相对于传统有机荧光试剂显现方法，具有信背比高、荧光效应强、保留时间长、设备简便、成本低廉等优点，可以实现办案现场快速应用。
显现潜在指纹方法及其系统

[发明专利]利用超声波－微波技术制备CdTe纳米荧光材料的方法-CN200510016861.X无效
发明人：周建光;刘岩;沈启慧;于东冬;赵颖;杨莹丽;范宏亮;金丽;黄校亮;孙占军 -专利权人：吉林大学
申请日： 2005-06-10 - 公布日： 2005-12-21 - 主分类号： C09K11/54 文献下载
摘要：本发明的利用超声波－微波技术制备CdTe纳米荧光材料的方法属晶体材料的制备方法领域。具体步骤分为制备镉金属络合物溶液、制备碲源、超声制备CdTe纳米晶核溶液、微波制备CdTe纳米晶荧光材料的过程。在水中溶解镉盐和分散剂并调至强碱性形成镉金属络合物溶液。碲氢化钠作为碲源。在超声条件下，向碲源透明液体中滴加镉金属络合物溶液得到CdTe纳米晶核水溶液。CdTe纳米晶核水溶液倒入石英微波反应管内在70～100℃温度内得到不同荧光波长的CdTe纳米晶体溶液。溶液澄清、透明、可控荧光发射波谱覆盖范围宽，量子效率高。将溶液高速离心可以得到晶体沉淀，自然干燥后呈粉末状，该粉末同样具有很强的荧光，稳定性好。
利用超声波微波技术制备 cdte 纳米荧光材料方法

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