[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910130267.5 | 申请日： | 2019-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN111599677B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 吴玉萍;程继;金懿;邵群;林先军 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有栅极结构，栅极结构包括多晶硅栅极层；在栅极结构露出的基底上形成初始层间介质层，初始层间介质层凸出于栅极结构顶部且露出栅极结构顶部；采用氧化铈基研磨液，并以多晶硅栅极层顶部为停止位置，对初始层间介质层进行第一研磨处理，去除高于栅极结构顶部的初始层间介质层，剩余初始层间介质层作为层间介质层。本发明采用氧化铈基研磨液进行第一研磨处理，氧化铈基研磨液对层间介质层材料和多晶硅具有高选择比，这有利于减小第一研磨处理对多晶硅栅极层的损耗，从而提高栅极结构的高度均一性和层间介质层的顶面平坦度，进而改善器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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